高速なフレキソ印刷技術を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製(機能ナノデバイス及び関連技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速な印刷法であるフレキソ印刷技術とカーボンナノチューブ転写技術を組み合わせ、高移動度なカーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNT TFTs)を非リソグラフィ・大気圧プロセスによって作製した。作製したCNT TFTは157cm^2/Vsという高い移動度を示した。この素子作製技術はフレキシブルデバイスの低コスト・大量製造に繋がる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-02-20
著者
-
外村 卓也
バンドー化学
-
畑 克彦
バンドー化学
-
武居 正史
バンドー化学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
-
樋口 健太郎
名古屋大学工学研究科量子工学専攻
-
中嶋 勇太
バンドー化学株式会社R&Dセンター
-
武居 正史
バンドー化学株式会社R&Dセンター
関連論文
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 21455 高知能建築構造システムの開発に関する日米共同構造実験研究 : その81 実免震建物用MRダンパーの基本特性(高知能建築構造システム(3),構造II)
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
- HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
- 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 磁気粘性流体を用いた可変ダンパーの実験研究
- 21121 高知能建築構造システムの開発に関する日米共同構造実験研究 : その30 200kN級MRダンパーの基本特性(知的構造(3),構造II)
- 21460 高知能建築構造システムに関する日米共同構造実験研究 : (その15)200kN級MRダンパーの開発
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- ピエゾ素子を利用した大流量ガスバルブの開発
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器
- 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネル素子を用いた新しい発振器の構成(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 磁気粘性流体を利用した精密加工技術の開発研究 : 磁気粘性流体べーススラリーの開発とその加工性能
- 754 磁気粘性流体を利用した精密加工技術の開発 : 第2報:WA砥粒の濃度および粒径が加工特性に及ぼす影響(切削・研削・研磨加工)
- 107 MR 流体のクラスター構造および磁気機能性の評価
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- D323 MR 流体のクラスター構造解析と磁気機能性評価
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
- C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
- C-10-4 共鳴トンネルカオス回路を用いた50GHz分周期
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を利用した分周器の高速動作
- 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
- 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を用いた分周器における入力信号歪みの影響
- C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を用いた新しい分周器
- HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
- AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
- AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Fluidic Self-Assemblyのための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- C-10-2 Fluidic Self-Assemblyを用いたAlNセラミック上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの集積(C-10.電子デバイス,一般講演)
- カーボンナノチューブ探針を用いた半導体表面のAFM・KFM測定
- カーボンナノチューブ探針を用いた半導体表面のAFM・KFM測定
- C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
- C-10-2 対称型単安定-双安定転移論理素子SMOBILEの100GHz動作(C-10.電子デバイス,一般講演)
- A-2-23 共鳴トンネルカオス回路を用いた高速信号生成回路(A-2.非線形問題,基礎・境界)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
- C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
- C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
- SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
- C-10-11 Si-CMOSによる共鳴トンネル論理ゲートのエミュレーション回路
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
- 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
- OA用エラストマー精密パーツの開発-電子写真装置用ゴム部品-
- 103 テンションプーリ用小型MRダンパの基本特性(MRダンパ)
- 新材料開発 沈降安定性に優れた磁気粘性流体
- 21120 高知能建築構造システムの開発に関する日米共同構造実験研究 : その29 新規MRFの創製と評価(知的構造(3),構造II)
- 21331 分散安定化磁気粘性流体 (MRF) の開発
- 21457 高知能建築構造システムに関する日米共同構造実験研究 : (その12)磁気粘性流体の基本特性とその応用研究の概要
- ポリウレタンカチオノマーの電気的性質に与えるポリオール種の影響
- 3-7 PDP用緑色ナノ微粒子蛍光体の発光特性(第3部門 ストレージ&ディスプレイ&センシング&コンシューマエレクトロニクス)
- 高速なフレキソ印刷技術を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高速なフレキソ印刷技術を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製(機能ナノデバイス及び関連技術)