S043034 Sbドープアモルファス炭素膜の合成と電気的特性評価([S04303]環境調和型の表面改質および薄膜コーティング(3))
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概要
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Antimony doped amorphous carbon (a-C:Sb) films were deposited by magnetron sputtering using micropulse power supply. Structure and electrical properties of a-C:Sb films were investigated. Graphite target containing Sb were sputtered by Ar at 0.4Pa. Raman spectroscopic analysis and GD-OES analysis results showed that amorphous carbon films containing Sb were deposited. Effect of annealing process on electrical properties of a-C:Sb films were investigated next. The annealing temperature was 300- 900℃. Structural and characteristic change of a-C:Sb film by the annealing process were checked. It was revealed from Raman spectroscopic analysis that structure of amorphous carbon film tends to change to structure with rise in temperature. Moreover bandgap of a-C:Sb film rose approximately linearly with increase of annealing temperature. In contrast surface resistivity decreased to 10^5Ω/sq by annealing at 900℃.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2011-09-11
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