A-3-9 RTNモデルを用いたNBTI劣化解析手法の検討(A-3.VLSI設計技術,一般セッション)
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概要
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PMOSの経年劣化現象であるNBTI(Negative Bias Temperature Instability)の発生原因はRTN(Random Telegraph Noise)と同様に酸化膜の欠陥がキャリアを捕捉する現象である可能性が高いことが明らかになった。本稿ではこのような原理に基づいた閾値電圧変動モデル(RTNモデル)を用いた劣化解析手法について検討する。
- 2011-08-30
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