ガスフロースパッタ法により低温で作製したAlドープZnO薄膜の電気的・光学的性質の酸素量依存性(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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ガスフロースパッタ法により室温でAlをドープしたZnO膜(AZO)を成膜し,AZO薄膜の酸素ガス流量依存性と電気的,光学的性質を調べた.その結果,40nm/min以上の堆積速度が得られ,酸素ガスの流量を下げるにともないAZO薄膜の抵抗率が下がることがわかった,2.6×10^4Paの酸素分圧で可視光において透過率90%以上を有し,抵抗率が1.2×10^<-3>ΩcmのAZO薄膜を得ることができた.
- 2010-06-18
著者
-
石井 清
宇都宮大学工学科機能創成部
-
石井 清
宇都宮大学
-
佐久間 洋志
宇都宮大学
-
須藤 隆吉
宇都宮大学大学院電気電子システム工学専攻
-
近藤 祐邦
宇都宮大学大学院電気電子システム工学専攻
-
荒巻 慶輔
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社
-
尹 〓成
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社
-
近藤 洋文
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社
-
近藤 洋文
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス(株)
-
荒巻 慶輔
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス(株)
-
尹 〓成
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス(株)
-
石井 清
宇都宮大学大学院電気電子システム工学専攻
-
近藤 洋文
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社
-
佐久間 洋志
宇都宮大学大学院電気電子システム工学専攻
-
尹 〓成
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社
-
荒巻 慶輔
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社
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