ガスフロースパッタ法における低エネルギーイオンアシストによるITO薄膜の低温結晶化(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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透明導電膜であるITO(In_2O_3Sn_x)薄膜は成膜温度を高めることにより結晶性が向上し抵抗率が下がる傾向にあるが, 近年, ポリエチレンテレフタレート(PET)などのプラスティック基板上に低抵抗のITO薄膜を作製するため, 低温で低抵抗のITO薄膜を作製する必要性が高い.そのためには2つのアプローチが考えられる.1つは, アモルファス膜について抵抗を下げることである.他の1つは, 低温で結晶化を促進させることである.我々は後者の立場に立ち, ガスフロースパッタ(GFS)法にdc及びrfバイアススパッタを適用して, 成膜中に10〜50eV程度のイオン衝撃を膜面に加えることにより, 低温で結晶化した低抵抗(2.6×10^<-4>Ω・cm)ITO薄膜を得ることができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-25
著者
-
石井 清
宇都宮大学工学科機能創成部
-
石井 清
宇都宮大学
-
齋藤 和史
Utsunomiya University
-
佐久間 洋志
宇都宮大学
-
渡辺 康治
宇都宮大学 工学部 電気電子工学科
-
齋藤 和史
宇都宮大学 工学部 電気電子工学科
-
齋藤 和史
宇都宮大院工
-
斎藤 和史
宇都宮大・工
-
斎藤 和史
九大総理工
-
佐久間 洋志
東京工業大学総合理工学研究科
-
佐久間 洋志
宇都宮大学大学院電気電子システム工学専攻
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