GFS法により1Torrレンジでスパッタ成膜したCu膜の電気抵抗

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概要

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円筒パイプ状のターゲットを用い、Arガスの強制流によりスパッタ粒子を基板まで輸送すると、1Torrレンジの圧力下でもかなり高速のスパッタ成膜が可能である。この方法ではステップカバレッジが良いので、電極形成に適している。本研究では、この方法によりCu膜を作製し、スパッタ特性および膜の構造と電気抵抗を調べた。その結果、基板に-60Vの負バイアスを印加して作製すると、バルク値の約3倍の抵抗値を有するCu膜が得られることが明らかになった。
1999-08-06

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