高密度プラズマ環境下のガスフロースパッタ法によるカーボン薄膜の作製(簿膜プロセス・材料,一般)
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概要
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種々の方式のプラズマCVD法により単結晶を含めて良質なダイヤモンド薄膜が作製できるようになっているが,スパッタ法ではダイヤモンド構造単相の薄膜が形成しにくい場合が多い.本研究では,イオン密度が非常に高いプラズマ中で成膜が可能なガスフロースパッタ法に注目し,同手法によりダイヤモンド薄膜の作製を目指した.基板温度とプラズマの効果について基礎的検討を行った結果,600℃以上においてプラズマ密度が高い場合にナノ結晶ダイヤモンドを含む薄膜が成長することが推察された.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-17
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