AuSnはんだを用いたGaAsチップのダイボンディング部の界面反応制御による品質改善(信頼性解析評価技術,<特集>先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
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概要
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光・高周波モジュールで用いられるGaAsチップのダイボンディング部では,フラックスレスで実装ができ,低熱応力な実装部が実現可能なAuSnはんだが用いられている.このAuSnはんだによるダイボンディングにおいて,未接合やボイドの抑制が課題になっている.本研究では,ダイボンディング部の界面反応に着目し,これら不具合の発生メカニズムを明確にするとともに,金属拡散を制御することによる品質改善方法について検討した.ダイボンディング時において,電極の金属層がAuSnはんだ中に拡散することが,高融点の金属間化合物を生成して未接合の原因となり,接合部の低融点化を起こして長時間加熱時のボイド生成の原因となることを明確にした.これらの対策として,Ptバリヤ層あるいはTi拡散層を適正に形成することにより,未接合部やボイドのない高品質なダイボンディング部が形成されることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-01
著者
-
藤本 公三
大阪大学大学院工学研究科
-
澤井 章能
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
藤野 純司
三菱電機株式会社
-
藤本 公三
大阪大学 大学院
-
藤野 純司
三菱電機株式会社生産技術センター
-
藤野 純司
三菱電機株式会社:大阪大学大学院工学研究科
-
澤井 章能
三菱電機株式会社
-
伊藤 正康
三菱電機株式会社
-
坂本 博夫
三菱電機株式会社
-
藤本 公三
大阪大学大学院
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