MOS容量による電圧増幅を用いた超低消費電力・低雑音増幅器(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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本稿では生体センサLSIに応用できる低消費電力・低雑音増幅器を提案する.微小信号の増幅およびバッテリー駆動するため,近年の生体センサLSIは低雑音,かつ,低消費電力が必須である.本稿ではMOS容量の容量値を変化させて電圧を増幅する手法を用いることで回路の低消費電力化を行う.またMOSのフリッカ雑音低減手法についても述べる.これらの手法を用いて,電源電圧3.3V,消費電力2.2μWで72dBの増幅率を達成できる見通しを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-10
著者
-
岩田 穆
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
佐々木 守
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岩田 穆
広島大学
-
村上 智敏
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岩田 穆
広島大 大学院先端物質科学研究科
-
岩田 穆
エイアールテック
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