超低電圧動作・低雑音CMOS増幅回路の設計法(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)
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概要
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MOSFETの微細化に伴い素子のばらつきが深刻な問題となっている.増幅回路において素子のばらつきはdcオフセット電圧の原因となり,特に低電源電圧での回路設計を困難なものとする.本研究では素子のばらつきが増幅回路に及ぼす影響を明らかにし,低電圧動作におけるばらつき補償技術を提案する.提案する手法は増幅回路の仮想接地点を利用し,フローティングアナログスイッチを必要としないでオートゼロ技術を実現する.試作は0.18um-CMOSプロセスで行い,測定評価により電源電圧0.6V,消費電力130μW,入力換算雑音89nV/√Hz (@100Hz)を達成した.
- 2006-07-20
著者
-
岩田 穆
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
吉田 毅
広島大学
-
佐々木 守
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
升井 義博
広島大学
-
吉田 毅
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岩田 穆
広島大学
-
升井 義博
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岩田 穆
広島大 大学院先端物質科学研究科
-
岩田 穆
エイアールテック
-
吉田 毅
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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