ゴーシュトランス交互ポリシランの分子構造と光物性
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概要
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有機ポリシランを半導体として見た場合のバンドギャップ値は、主に主鎖のコンフォメーションに依存すると考えられている。主鎖のコンフォメーションが、オールトランス、トランス・ゴーシュの交互構造、ヘリックスとなるに従い、バンドギャップの値は大きくなっていくとされている。しかし、その確たる証明はいまだなされておらず、2面角とバンドギャップ値の関係を系統的に調べた例はない。本稿では、ポリシラン主鎖のコンフォメーションと紫外域の光吸収との関係解明の一環として、双環構造を持つオリゴシランについて構造解析を試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-21
著者
-
古川 昌司
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
古川 昌司
九州工業大学
-
玉尾 皓平
京都大学化学研究所
-
古賀 勝
九州工業大学情報工学部,CREST-JST
-
古賀 勝
九州工業大学情報工学部 Crest-jst
-
年光 昭夫
京都大学化学研究所
-
寺田 匡慶
京都大学化学研究所
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