Al_2O_3/Si構造を用いた共鳴トンネルデバイスの形成
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概要
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Si基板上に単結晶Al_2O_3絶縁膜を成長するエピタキシャルSi/Al_2O_3/Si積層SOI構造の形成に関する独自の研究を行ってきた。これまで、混成ソースMBE法によりSi(111)上にγ-Al_2O_3をエピタキシャル成長することに成功している.また、MBE成長により、γ-Al_2O_3上にSi極薄膜をエピタキシャル成長することが可能である。絶縁膜にγ-Al_2O_3エピタキシャル薄膜、半導体にSiエピタキシャル膜を用いた共鳴トンネル構造を実現できる成長方法の改善を行うことで、室温で共鳴トンネル現象を観測することができた.本報告ではγ-Al_2O_3を絶縁膜とした共鳴トンネルデバイス構造を作製する上での要素技術に関して検討したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
古字 芳明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
高橋 成也
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
伊藤 了基
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
古字 芳明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系電子デバイス大講座
-
伊藤 了基
豊橋技術科学大学電気・電子工学系電子デバイス大講座
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