エピタキシャルAl_2O_3/Si構造を用いたMOS型電子源の検討
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概要
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Al_2O_3絶縁膜に用いたエピタキシャルSi/Al_2O_3/Si積層SOI構造の形成に関する独自の研究を行っている。これまで、混成ソースMBE法によりSi(111)上にγ-Al_2O_3をエピタキシャル成長することに成功している.また、MBE成長により、γ-Al_2O_3上にAl, Si極薄膜をエピタキシャル成長することが可能である。この技術を用い絶縁膜にγ-Al_2O_3エピタキシャル薄膜、ゲート電極にAlエピタキシャル膜を用いたMOS型フィールドエミッタを作製することにより、電子放射効率低下の原因となる絶縁膜、及び引出電極の伝導帯における電子の格子散乱が抑えられることが考えている.本報告ではγ-Al_2O_3を絶縁膜としたMIS型フィールドエミッタを作製する上での要素技術に関して検討したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-07
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
星 智弘
豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
古字 芳明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
金 璋燮
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
Shahjahan M.
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
高橋 成也
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
古字 芳明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系電子デバイス大講座
-
金 璋燮
豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 電子デバイス大講座
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