SiO_2/LiNbO_3構造超高結合・零温度特性弾性表面波基板の解析とデバイスへの応用
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概要
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本研究は、同転Yカット-X伝搬のLiNbO_3上に逆の温度特性をもつSiO_2薄膜を設けたSiO_2/LiNbO_3構造の弾性表面波基板について検討し、薄いSiO_2膜厚H/λ(H:SiO_2膜厚、λ:弾性表面波の波長)が0.25付近において、k^2が0.2以上、界面短絡の場合、伝搬減衰が零、周波数温度特性が零の基板であり、かつこの基板のレーリー波のk^2がほとんど零の擬似表面波基板が得られた結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-13
著者
-
山之内 和彦
東北大学電気通信研究所
-
山之内 和彦
東北工業大学
-
Yamaguchi Kunio
Electronics Technology Research Center Mitsubishi Materials Co. Ltd.
-
山之内 和彦
東北大学研
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