GaAsヘテロ接合基板を用いた音響電荷転送素子
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概要
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HACT(Heterojunction Acoustic Charge Transport)デバイスは、基板材料としてGaAs-AlGaAsのヘテロ接合基板を用い、その量子井戸に封じ込めた電荷をSAWのポテンシャルの波によって転送する音響電荷転送デバイスである。我々は、SAWの励振源として内部反射型一方向性IDTを使用し、また基板構造に不純物散乱による移動度の低下を防ぐ層を新たに設けて、より効率的な電荷転送を行うHACTデバイスを提案した。そして実際に遅延線構造のHACTデバイスを設計し作成した結果、電荷の転送が認められ、NDS(Non Destructive Sense)から約1.2μsの遅延信号が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-22
著者
-
山之内 和彦
東北大学電気通信研究所
-
熊谷 誠司
住友電工
-
三保田 憲人
東北大学電気通信研究所
-
熊谷 誠司
東北大学電気通信研究所
-
ウィズメイヤー A.C
University of Sheffield
-
ウッズ R.C
University of Sheffield
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