真空蒸着法によるポリジメチルシラン薄膜の作製と配向制御(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
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概要
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ポリジメチルシランを用いて真空蒸着法により薄膜を作製した。これまでの研究から、蒸着圧力が比較的高い場合(<1×10^<-3>[Torr])に基板温度を変化させ、Si(100)基板上に蒸着を行うと、基板温度の上昇に伴い薄膜は(100)配向しやすくなることが確認されていた。本研究では石英ガラス基板上に同様の薄膜を作製し、ほぼ同じ結果を得た。さらに、基板温度を一定として、蒸着圧力を変化させて薄膜を作製すると、薄膜の配向が大きく変化することが確認されていた。本研究では蒸着源-基板間距離を変化させ、蒸着圧力が及ぼす薄膜の構造への影響について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-08
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