強力軟X線源の開発-AlN/Cuタｰゲット
スポンサーリンク
概要
著者
-
木内 正人
産業技術総合研究所環境化学技術研究部門
-
松谷 貴臣
産業技術総合研究所
-
志水 隆一
大阪工業大学情報科学部
-
志水 隆一
大阪工業大学
-
木内 正人
産業技術総合研
-
木内 正人
産業技術総合研究所
-
高橋 貞幸
株式会社リガク
-
白水 清孝
大阪工業大学情報科学部情報科学科
-
吉岡 明浩
大阪工業大学情報科学部情報科学科
-
志水 隆一
Osaka Inst. Technol. Osaka Jpn
-
志水 隆一
大阪工業大学情報科学部情報科学科
関連論文
- 有機金属イオンビーム法によるヘテロエピタキシャルSiCナノドットの結晶成長
- 有機ケイ素を用いたイオン誘起CVD法の開発
- インバーター電源励起プロセスプラズマの特性と応用
- インバータ電源生成プラズマのラングミュアプローブ特性
- イオンビームに含まれる中性粒子のための計測器の試作
- 27a-U2-6 Nd-Fe-B永久磁石の粒界構造
- SIトレーサブルな電子分光法 ; CMAを例として
- Log-Log表示によるAESスペクトル:拡張Sickafus Plot
- 2a-SB-21 レーザー誘起蛍光法(LIFM)によるスパッタ : 原子の密度測定 I
- 表面と分光学-6-オ-ジェ電子分光法(AES)--その発見からマイクロプロ-ブAESまで(講座)
- 実時間演算機能を有するCCDカメラの開発
- 1P4-9 (112^^-0)配向AlN 薄膜を用いた純横波モード共振子(ポスターセッション)
- 11a-M-1 e^--Hg非弾性散乱のひずみ波近似による考察
- 5a-F-5 R-Fe-B永久磁石の粒界構造
- 6a-S3-12 Nd-Fe-Co-B永久磁石の粒界構造
- P2-21 Brillouin散乱法によるSiC薄膜の評価(ポスターセッション2,ポスター発表)
- イオンビーム誘起化学蒸着法による酸化スズ薄膜の作製
- 強力軟X線源の開発-AlN/Cuタｰゲット
- 低エネルギーイオンビームプロセス (小特集 イオン技術の新しい発展)
- イオンビーム誘起CVDによる有機ケイ素を用いたアモルファス炭化ケイ素薄膜の作製
- ブリュアン光散乱法を用いたSiC薄膜の非破壊評価
- イオンアシスト蒸着のためのインバータープラズマ装置
- インバータ電源による両極性パルスDC放電プラズマ特性
- 有機金属イオンビーム法によるシリコン基板上への3C-SiC薄膜の低温ヘテロエピタキシャル成長
- ヘキサメチルジシランを用いたイオンビーム誘起CVD法
- 27pA26P インバータ電源による両極性パルスプラズマ生成とその応用(プラズマ基礎・応用)
- 有機ケイ素イオンビームを用いたSiCの低温結晶成長
- 23pB-1 インバーター電源生成によるプラズマ特性
- 低エネルギーイオンビーム堆積法におけるビームの質の検討
- 有機ケイ素イオンビームによるSiC結晶成長
- 熱電界放射陰極(Zr-O/W (100))にみる高温表面物性の新たな展開
- 未来開拓学術研究推進事業プロジェクト「次世代超電子顕微鏡の開発」 -研究計画と進展状況について-
- 回折面アパーチャを用いた X 線光電子回折パターンの高角度分解能測定
- 実環境における広い濃度範囲のCOの常温酸化除去 : 金触媒と白金触媒との比較
- 極低エネルギーイオンビーム技術と材料開発への応用
- プラズマ・イオンプロセスの流れと将来動向
- フリーマン型ガスイオン源によるイオンビームの特性
- フリーマン型スパッターイオン源の開発とその製膜への応用
- スパッタリング--粒子線衝撃による固体表面の損耗
- 単結晶LaB6陰極電子銃の輝度
- 合金表面のイオンスパッタリングのコンピュ-タ-シミュレ-ション (プラズマ-壁相互作用の理論(研究会報告))
- 集束イオンビームによる断面TEM試料作製
- ダイヤモンドをよく知るために--評価法(16):透過型電子顕微鏡(2)試料作製法
- ダイヤモンドをよく知るために--評価法(16)透過型電子顕微鏡(1)概論
- 集束イオンビームでTEM用試料を作製したら
- イオン散乱分光法
- 2p-D-5 He^+に対するTiのシャドーコーン(実験と計算)
- オ-ジェ電子分光法による定量分析 (表面分析特集)
- 表面研究における二次電子放出現象
- 定量オ-ジェ分光法の進展-2-定量分析への理論的アプロ-チ
- 原子レベルのキャラクタリゼ-ションをめざして (マイクロビ-ムアナリシスの現状と展望)
- 電子顕微鏡技術の来し方行く末 (電子顕微鏡・装置開発の将来を探る)
- 電子顕微鏡誕生をもたらした背景について--Hans Betheより学んだことなど (〔分析電子顕微鏡討論会〕20周年特別企画)
- FIBにおける最小イオン照射損傷--cross-sectional sputteringの限界について (ハードマテリアル評価の最前線)
- 25a-Q-3 0.1μmφ電子線バイプリズム極細線の試作とその特性
- 6p-PS-9 Bi-Ca-Sr-Cu-O系高温超伝導材料の高分解能電顕観察
- X線微小分析装置 X線マイクロアナライザー(EPMA)
- 産学協力について-瀬藤委員会に思う-
- 6a-B5-12 原子直視400kV電子顕微鏡の極低温観察装置の試作
- 6a-B5-10 B2型超格子構造FeAl合金における積層欠陥の検出と解析
- マイクロビームアナリシスとともに茫々45年 : その基礎的研究から国際標準化へ
- 多層膜ターゲットにおける特性X線の空間分布のモンテカルロシミュレーション
- 低速イオン銃を用いた高分解能深さ方向分析〔含 査読者からのコメント・質疑応答〕
- FIB : その開発が目指したもの
- Study of Defects and Strains on Cleaved GaAs (110) Surface by Reflection Electron Microscopy
- The Fringe Scanning Method as Numerical Reconstruction for Electron Holography
- Aberration Correction by Electron Holography Using Numerical Reconstruction Method
- Observation of GaAs(110)Surface Defect by Reflection Electron Holography
- 29p-PS-52 Y-Ba-Cu酸化物の高分解能電子顕微鏡観察
- オージェ電子分光法による定量分析
- 定量オージェ分光法の進展II : 定量分析への理論的アプローチ
- Anti-Contamination Electron Biprism for Electron Holography
- 6p-W-4 シリコン高分解能電顕像解釈
- 電子分光と電子顕微鏡
- 原子直視分析電子顕微鏡 (極限技術と応用物理特集号) -- (光・粒子ビ-ムの極限)
- 低エネルギーイオンビームプロセス
- 極低エネルギーイオンビーム法によるAu薄膜形成とその結晶配向性
- 有機金属イオンビームによるシリコン基板上へのSiCナノ結晶のヘテロエピタキシャル成長
- オージェ定量分析の基礎 : 背面散乱電子効果の補正を中心にして
- インバータプラズマによるカーボンナノチューブの生成実験
- インバータプラズマ成膜プロセスにおけるイオンアシスト効果
- 「表面と分光学」第6講オージエ電子分光法 (AES) その発見からマイクロプローブAESまで