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沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ | 論文
- サリサイドMOSFETのプロセス/デバイス一貫シミュレーション
- HFヴェーパクリーニングを前処理として用いた極薄シリコン窒化膜の形成
- メガビットDRAM用高品質極薄シリコン窒化膜の形成技術 (VLSI特集)
- ULSI製造プロセスにおけるウェットクリーニング技術の課題
- 新型・低損傷 高速RFダウンフローアッシャーの開発
- アッシングにおけるチャージアップ測定
- フルオロカーボンECRプラズマにおけるエッチング特性経時変化の解析
- 樹脂コーティングによるアンダーサイズを用いた0.2μmレベルホールパターン形成の検討
- 水素イオンのチャネリングによる微細コンタクトホール底の欠陥
- ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化
- ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化
- マイクロプロ-ブAES・AEMによるULSIデバイスの微小領域の表面界面の評価
- 内標準法に基づく浅いドーパントプロファイルの高精度SIMS測定
- 昇温脱離ガス分析法による半導体集積回路材料からの放出ガスの定量分析
- AESによるサブミクロンビアホール内微小領域分析法の検討
- CVD酸化膜の吸湿過程と水の脱離機構
- 低誘電率SiOF膜の0.35μmCMOSへの適用
- 多層配線における埋め込みヴィアホール形成技術
- ゾルゲル法によるPZT/PTO積層膜の形成
- 希釈ウェット雰囲気中のシリコン熱酸化モデルの検討