アッシングにおけるチャージアップ測定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
アッシング中の微小なチャージアップを評価するための測定方法を検討した。10nmのゲート膜のMOSキャパシタの耐圧劣化が起こらないレベルの微小なチャージアップの測定においてMNOSキャパシタとSurface Charge Analyzer(SCA)が有効であることがわかった。これらの評価において、バレルアッシャーのアッシング時間が長くなるのに伴い、チャージアップが減少する現象が観察された。N_2アニールによるチャージアップの減少は緩やかであるのに対し、アッシングによるチャージアップの減少は急峻であることから、アッシングにおけるチャージアップの減少は熱的回復だけでは説明できないことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-24
著者
関連論文
- 低誘電率有機SOG膜のILD適用検討
- 化学増幅型レジストにおける寸法変動要因の検討
- 新型・低損傷 高速RFダウンフローアッシャーの開発
- アッシングにおけるチャージアップ測定
- フルオロカーボンECRプラズマにおけるエッチング特性経時変化の解析