新型・低損傷高速RFダウンフローアッシャーの開発

概要

論文の詳細を見る
RFダウンフローアッシャをもとに高速で高均一かつ低損傷のアッシャの開発なった。電極を櫛形電極にすることにより、電極間に効率よくプラズマを集中させることができ、高RFパワーにおいても安定に放電することがわかった。また、高RFパワーにおいても高圧力化することにより、ウェハに入射する荷電粒子のフラックスを減少させることができた。これにより、6インチウェハにおいて高RFパワーかつ高圧力条件のもとで、アッシング速度3670nm, min、±3%が得られ、また、表面電荷分析装置(SCA)を用いてのプラズマ損傷の評価においても大幅な減少がされた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-10-29