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沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ | 論文
- 薄いゲート酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
- 低誘電率有機SOG膜のILD適用検討
- 金属電極上に堆積したTa2O5の膜特性
- RFスパッタ法による(Ba, Sr)TiO_3薄膜の結晶性と電気特性
- DRAM対応スパッタ(Ba, Sr)TiO_3薄膜の低温成膜
- 反応性スパッタと急速熱処理による強誘電体PZT薄膜の形成技術
- RTA処理したスパッタPZTの薄膜化と不揮発特性
- ノンドープ・ノンオーバーラップ構造を用いた超低リーク版FD-SOIトランジスタ
- 統合シミュレーションシステムUNISAS-Xの開発
- プロセスシミュレ-ションにおける多層構造酸化モデルの開発
- シリコンウエハーの薄い酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
- 電子線マイクロアナライザーを用いた地下街浮遊粒子状物質の粒別起源解析
- MOSFETの容量測定とチャージポンピング測定による界面準位のラテラルプロファイル評価
- In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
- In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察
- SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- インバースモデリングによるMOSFETの疑似2次元プロファイル抽出
- インバースモデリング技術を用いたMOSFETチャネルプロファイル抽出法の検討
- LOCOSプロセス条件とアクティブの方向が接合リーク電流に与える影響
- 化学増幅型レジストにおける寸法変動要因の検討