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沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ | 論文

• プロセスシミュレーションの現状と課題
• TEOS-O_3 APCVD SiO_2の成膜機構検討
• PECVD SiOF膜の構造検討(II)
• PECVD SiOF膜の構造検討
• 高圧酸化法によるSTI形成技術の検討
• 化学増幅型レジストプロセスにおける残留溶媒及び基板上残留成分の影響
• 新しい昇温脱離ガス分析装置の開発とVLSI材料及びプロセス評価への応用
• ド-パントプロファイルの高精度評価法の開発 (VLSI) -- (プロセス技術)

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