化学増幅型レジストプロセスにおける残留溶媒及び基板上残留成分の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
化学増幅型レジストプロセスにおける残留溶媒と基板上に存在する残留成分について分析を行い、それらがパターニング特性やレジスト形状に与える影響について評価した。その結果、パターンエッジラフネスはレジスト中の残留溶媒量の影響を受けていることが分かった。また、パターン倒壊は基板上に残留した硫酸成分に起因していることが分かった。これらの形状劣化は、ベーク条件の最適化や基板前処理によって低減できることが確認でき、微細パターンに対するホトリソ寸法制御性劣化要因とその改善策について明らかにすることができた。そして、0.15um∼0.25umデザインルールデバイスに対して十分な寸法精度、及びパターンプロファイルを得ることが可能となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-27
著者
関連論文
- ノンドープ・ノンオーバーラップ構造を用いた超低リーク版FD-SOIトランジスタ
- 化学増幅型レジストにおける寸法変動要因の検討
- 4a-KG-2 NbSe_3におけるプラズマエッヂ
- 化学増幅型レジストプロセスにおける残留溶媒及び基板上残留成分の影響