Watanabe Yoshihide | Toyota Central Research And Development Laboratories Inc.
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概要
関連著者
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Watanabe Yoshihide
Toyota Central Research And Development Laboratories Inc.
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渡部 行男
九大院理
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Watanabe Yoshihide
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Tottori University
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渡部 行男
九州工業大学工学部電気工学科
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Watanabe Y
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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渡辺 征夫
九州大学
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渡辺 征夫
九州大学大学院システム情報電子デバイス専攻
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渡部 行男
九大理院
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白谷 正治
九州大学
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渡辺 芳夫
Department Of Pediatric Surgery Nagoya University Graduate School Of Medicine
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渡辺 征夫
九大工
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Watanabe Yukio
Mitsubishi Chemical Yokohama Research Center
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Watanabe Yasutaka
Faculty Of Science Kwansei Gakuin University
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加来 滋
学振
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浦上 洋輔
九大院理
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加来 滋
九大院理
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白谷 正治
九州大学大学院システム情報科学研究院
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倭 瑞貴
九大理
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松元 大輔
九大院理:学振
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宮内 聡
九大院理
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松元 大輔
九大院理
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古閑 一憲
九州大学
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倭 瑞貴
九大院理
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福澤 剛
九州大学
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中原 大志
九大理
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川崎 仁晴
九州大学システム情報科学研究科
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吉岡 浩孝
九大理院
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根本 達也
九大院理
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川崎 仁晴
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻
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水口 拓也
九大院理
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渡辺 征夫
九大システム情報
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白谷 正治
九州大学システム情報科学研究院
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渡辺 征夫
九州大学システム情報科学研究院
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渡部 行男
九工大工
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小倉 俊助
九大院理
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WATANABE Yukio
Department of Human Genetics, Nagasaki University Graduate School of Biomedical Sciences
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中原 大志
九大院理
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古閑 一憲
九州大学システム情報科学研究院
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尾形 隆則
九州大学システム情報科学研究院
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掛谷 知秀
九州大学システム情報科学研究院
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鹿口 直斗
九州大学システム情報科学研究院
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渡辺 征夫
九大院システム情報
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Koga Kenji
National Institute For Advanced Interdisciplinary Research
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SHIRATANI Masaharu
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Kyushu University
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Shiratani M
Department Of Electronics Graduate School Of Information Science And Electrical Engineering Kyushu U
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Shiratani Masaharu
Department Of Electoronics Kyushu University
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KOGA Kazunori
Department of Advanced Energy Engineering Sciences, Interdisciplinary Graduate School of Engineering
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Koga K
Department Of Electronics Graduate School Of Information Science And Electrical Engineering Kyushu U
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Koga Kazunori
Department Of Advanced Energy Engineering Sciences Interdisciplinary Graduate School Of Engineering
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渡辺 征夫
九州大学工学部電気工学科
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中村 昂史
九大院理
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白谷 正治
九大院システム情報
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中村 昂史
九大理
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山田 和正
九大院理
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山田 和正
九大理
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AZUMA Hirozumi
TOYOTA Central Research and Development Laboratories Inc.
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NODA Shoji
TOYOTA Central Research and Development Laboratories Inc.
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白谷 正治
九大
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倉岡 稔
九大院理
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古閑 一憲
九大システムエ
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白谷 正治
九大システムエ
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Noda S
Assoc. Super‐advanced Electronics Technol. (aset) Yokohama Jpn
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Noda Shoji
Toyota Central R & D Labs. Inc.
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Noda Shoji
Toyota Central Research And Development Labs
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Fukuda Yukio
Texas Instruments Tukuba Research & Development Center Limited
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Fukuda Y
Ntt Optoelectronics Laboratories
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Fukuda Yukio
Tsukuba Research And Development Center Texas Instruments Japan Limited
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Azuma Hirozumi
Toyota Central Research & Development Laboratories Inc.
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岡野 資睦
九工大工
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Noda S
Assoc. Super‐advanced Electronics Technol. Kanagawa Jpn
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加来 滋
九大理
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Noda Shuichi
Association Of Super-advanced Electronics Technologies (aset):(present Address)vlsi R&d Center O
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Noda Syuichi
Oki Electric Industry Co. Ltd.
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Watanabe Yukio
Department Of Electrical Engineering Sciences Faculty Of Engineering Sciences Kyushu University
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Ikeda Shingo
Asm Japan K.k.
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Niibe M
Himeji Inst. Technol. Hyogo Jpn
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Niibe Masahito
Himeji Institute Of Technology Laboratory Of Advanced Science And Technology For Industry
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Fukuda Yuji
Kansai Photon Science Institute Japan Atomic Energy Agency
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白谷 正治
九州大学工学部
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浦上 洋輔
九大理院
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相良 明男
核融合科学研究所
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西村 清彦
核融合研
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小森 彰夫
核融合科学研究所
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松尾 一泰
北九州市立大学国際環境工学部
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芦川 直子
核融合研
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小森 彰夫
核融合研
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青木 俊之
九州大学
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益田 光治
九州大学総合理工学研究院
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益田 光治
九州大学大学院総合理工学研究院
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松尾 一泰
九州大学大学院総合理工学研究院
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大熊 政明
東京工業大学
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相良 明男
核融合研
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古閑 一憲
九州大学大学院システム情報科学研究院
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杉島 正樹
九大院理
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柴田 憲治
九州大学
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杉島 正樹
九大理
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相良 明男
National Institute for Fusion Science
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田中 一義
京都大学大学院工学研究科分子工学専攻
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早川 義一
名古屋大学大学院工学研究科
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福由 祐仁
原子力機構
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佐藤 徳芳
東北大学
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TAKEICHI Akihiro
TOYOTA Central Research and Development Laboratories Inc.
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KONOMI Ichiro
TOYOTA Central Research and Development Laboratories Inc.
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KATO Yoshiaki
Institute of Laser Engineering, Osaka University
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MOTOHIRO Tomoyoshi
TOYOTA Central Research and Development Laboratories Inc.
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MURAI Kensuke
Institute of Laser Engineering, Osaka University
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Horikawa Yoshiaki
Olympus Optical Co. Ltd.
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佐藤 徳芳
東北大学工学部電磁工学講座
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白谷 正治
九州大
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大熊 政明
東京工業大学大学院理工学研究科機械宇宙システム専攻
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飯塚 哲
東北大学大学院工学研究科
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島田 彌
三菱電機人事部
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Nath Krishna
Ntt Basic Research Laboratories
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Bednorz J.
Ibm Zurich.
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田中 一義
京都大学大学院工学研究科分子工学専攻 ナノ工学高等研究院 Jts Crest
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水口 拓也
九大理
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倉岡 稔
九大理
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Kaku S.
Kyushu Univ.
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近藤 郁
リオン株式会社
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金 洪杰
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
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北浦 靖寛
九大システム情報
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白谷 正治
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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古閑 一憲
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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渡辺 征夫
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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甲斐 幹英
九州大
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徳安 達郎
九大システム情報
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上原 龍児
九大システム情報
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中武 靖裕
九州大学
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Suzuki M
Shizuoka Univ. Hamamatsu
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前田 真一
九州大学
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Gerber Ch.
Ibm Zurich研
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Gerber Ch.
Ibm Zurich.
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Murai Kensuke
Institute Of Laser Engineering Osaka University
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島田 彌
三菱電機株式会社人事部
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鈴木 孝将
九大理院
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吉岡 孝浩
九大理院
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山縣 英雄
九工大工
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OSHIMA Masaharu
Department of Engineering, University of Tokyo
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Konomi I
Toyota Central Research & Development Laboratories Inc.
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Konomi Ichiro
Toyota Central R&d Labs. Inc.
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MIYAKE Akira
Canon Research Center
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TSUKAMOTO Masami
Canon Research Center
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FUKUDA Yasuaki
Canon Research Center
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Oshima M
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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Oshima M
Univ. Tokyo Tokyo
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Oshima M
Department Of Engineering The University Of Tokyo
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木下 年夫
九州大学
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松尾 一泰
九州大学・総理工
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IKETAKI Yoshinori
NTT Advanced Technology Corporation
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松元 大輔
九大理
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坂元 一貴
九州大学
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能登 敏幸
独立行政法人北海道開発土木研究所
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Bietsch A.
IBM Zurich.
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Beck A.
IBM Zurich.
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MAEDA Fumihiko
NTT Basic Research Laboratories
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WATANABE Yoshio
NTT Basic Research Laboratories
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KIYOKURA Takanori
NTT Basic Research Laboratories
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Motohiro Tomoyoshi
Toyota Central R & D Labs. Inc.
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早川 義一
名古屋大学大学院工学研究科電子機械工学専攻
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松永 啓
九州大学システム情報科学研究科
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Iketaki Yoshinori
Presto "light And Material" Japan Science And Technology Agency
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Iketaki Yoshinori
Olympus Optical Co. Ltd.
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Iketaki Yoshinori
Advanced Technology Research Center Olympus Optical Co. Ltd.
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Suzuki Mariko
Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
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Miyake A
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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Nagai K
Olympus Optical Co. Ltd.
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Iizuka S
Dept. Of Electronic Eng. Tohoku University
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Matsuki Nobuo
Asm Japan K.k.
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Maeda F
Ntt Basic Research Laboratories
-
Inoue Toshihisa
Department of Cardiology, Chiba Cardiovascular Center
-
渡辺 征夫
九大シス情
-
渡辺 征夫
応用物理学会九州支部
-
渡辺 征夫
[記載なし]
-
大倉 寛
九州大学
-
木田 淳一郎
九州大学
-
宮原 弘臣
九州大学
-
福澤 剛
九州大学システム情報科学研究科
-
OGURA Shigetaro
Kobe Design University, Visual Communication Design
-
IIZUKA Takashi
Canon Inc., Nanotechnology Research Center
-
WATANABE Yutaka
Canon Inc., Nanotechnology Research Center
-
右近 哲哉
九州大学
-
上田 佳央
九州大学
-
吉岡 貴
九州大学
-
WATANABE Yutaka
Cannon Research Center
-
SUZUKI Masayuki
Cannon Research Center
-
MOCHIZUKI Noritaka
Cannon Research Center
-
NIIBE Masahito
Cannon Research Center
-
FUKUDA Yasuaki
Cannon Research Center
-
Suzuki M
Department Of Electronics Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Ogura S
Kobe Design University Visual Communication Design
-
Ogura Shigetaro
Kobe Design University
-
浦上 洋輔
九大理
-
倭 瑞貴
九大理院
-
NAGAI Koumei
Olympus Optical Co., Ltd.
-
SHIGEMASA Eiji
High Energy Accelerator Research Organization
-
YAGISHITA Akira
High Energy Accelerator Research Organization
-
宮原 弘臣
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻
-
Inoue Toshihisa
Department Of Cardiology Chiba Cardiovascular Center
-
Inoue Toshihisa
Department Of Electoronics Kyushu University
-
金 洪杰
九州大学ベンチャービジネスラボラトリー
著作論文
- 23pHS-7 超高真空原子間力顕微鏡によるTSSG BaTiO_3結晶の分域観察(23pHS 誘電体(マルチフェロイック・ドメイン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pHS-6 強誘電体の伝導ピーク現象と分域のその場観察(23pHS 誘電体(マルチフェロイック・ドメイン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Thermally Induced Structural Modification of Nanometer-Order Mo/Si Multilayers by the Spectral Reflectance of Laser-Plasma Soft X-Rays
- Single-Shot Measurement of Spectral Reflectance of a Soft X-Ray Multilayer Mirror Using a Laser-Plasma X-Ray Source
- 25aZD-4 BaTiO_3単結晶のn型及びp型表面伝導の検討(25aZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYJ-3 バルク起源の一方向性電気伝導 : 一般の捕獲準位とBiFeO_3実験との比較(誘電体(理論・SrTiO_3),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYJ-7 AFM測定方法の違いによる強誘電体の表面構造の比較(誘電体(酸化物),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYJ-4 原子レベルで制御された強誘電体表面(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYJ-1 原子間力顕微鏡と圧電応答顕微鏡による原子ステップと分域の観察-2(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pRF-9 原子レベルに表面を制御したチタン酸バリウム単結晶の表面伝導(29pRF 誘電体(BaTiO_3系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pRF-8 超高真空原子間力顕微鏡によるBaTiO_3分域の表面電位変化の観察(29pRF 誘電体(BaTiO_3系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pRF-7 原子間力顕微鏡と圧電応答顕微鏡による原子ステップと分域の観察(29pRF 誘電体(BaTiO_3系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pVE-3 超高真空原子間力顕微鏡によるBaTiO_3分域の変化の観察(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aVE-5 絶縁体における非表面起源のダイオード的電流電圧特性 : 実験との比較(22aVE 誘電体(輸送現象),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aVE-4 絶縁体における非表面起源のダイオード的電流電圧特性 : 背景と定式化(22aVE 誘電体(輸送現象),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aVE-3 BaTiO_3単結晶の表面伝導層の安定性(22aVE 誘電体(輸送現象),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 領域10「強誘電体分域の測定法の新展開と新しい分域像」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
- 26aYE-8 BaTiO_3単結晶の伝導異常と構造との関係(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYE-9 超高真空原子間力顕微鏡(UHV-AFM)による清浄化BaTiO_3表面の観察(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aYE-7 強誘電体180°分域理論の整合性の検討(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pYE-1 はじめに(強誘電体分域の測定法の新展開と新しい分域像,シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXA-7 n,ρ型BaTiO_3単結晶のσ-T、σ-t特性(誘電体(BaTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXA-8 大気AFM, UHV-AFMによるBaTiO_3の分域の比較(誘電体(BaTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23aA03 LHDで捕集したダスト粒子の電子顕微鏡観察(ヘリカルI, (社) プラズマ・核融合学会第21回年会)
- 高効率薄膜シリコン太陽電池のためのクラスタ制御プラズマCVD
- プロセスプラズマ領域内浮遊粒子の吸引測定
- シランプラズマ中のクラスタ成長と薄膜形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- シランプラズマ中のクラスタ成長と薄膜形成(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- シランプラズマ中のクラスタ成長と薄膜形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- 微重力プラズマ中のナノ粒子形成
- 27aA03 ダイバータ壁とプラズマの相互作用による微粒子形成機構研究用装置の試作(プラズマ基礎・応用)
- 反応性プラズマにおけるダスト形成と成長挙動制御
- フォトカウンティングレーザー散乱法によるプラズマ中の微粒子計測
- 水素ラジカル源付プラズマCVD装置による高品質銅薄膜の形成
- 高品質銅薄膜堆積のためのHラジカル源付プラズマCVD装置の開発
- 29aXJ-3 エピタキシャル BaTiO_3 薄膜の電流の温度異常と表面相転移
- 28pYR-2 Pb(Zr,Ti)O_3界面における光電流応答
- 21aXA-14 PTCR効果の電圧依存性(誘電体(マルチフェロイック関連),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aWY-5 反電界に対する正しい誘電率(25aWY 酸化物系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 会議だより 第11回強誘電体国際会議(IMF-11)
- 銅薄膜形成用MOCVDプラズマの特性
- 20aXA-1 強誘電体Pb_La_xZr_Ti_yO_3薄膜の輸送特性の温度依存性(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aYM-3 格子不整合BaTiO_3薄膜のPTCR的非線型伝導異常(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- (333)工学教育プログラム基準強化活動(第2報) : 大学院教育課程(セッション97 工学教育の個性化・活性化IX・国際化時代における工学教育V)
- CVDプラズマのパルス変調による気相発生微粒子抑制
- 18aWE-8 SrTiO_3単結晶の可逆的電流誘起金属-絶縁体転移
- 照明学会の発展を願って(今日の課題)
- 4 プロセスプラズマ中の微粒子形成(シンポジウムVII : 微粒子プラズマの展望)
- V.プラズマ応用の課題(■シンポジウム)(第18回年会報告)
- ■会議報告 第54回Gaseous Electronics Conference(GEC)
- IMPF実験関連の概要
- 宇宙における微粒子プラズマ実験とその応用
- 3. プラズマ中の微粒子生成過程 (プラズマCVDの基礎)
- 応用物理学会九州支部発表奨励賞 第3回(1999年)応用物理学会九州支部発表奨励賞受賞者紹介
- 微粒子プラズマ研究の新展開
- 5.プロセスプラズマにおける微粒子現象(ダストプラズマの現状と課題)
- はじめに(ダストプラズマの現状と課題)
- GeH_4およびSiH_4 rfプラズマ中微粒子の形成機構
- レーザー誘起蛍光法
- 光脱離・電離法によるシランプラズマ中微小微粒子成長過程観測
- プラズマ中微粒子の帯電と挙動
- プラズマ化学気相堆積技術における微粒子発生メカニズムとその応用
- Normal Incidence Multilayer Mirrors for Soft X-Rays (光学薄膜特集号)
- 衝撃波管により生成されるプラズマの遠赤外レーザーを用いた計測
- プラズマCVD半導体プロセスにおける微粒子の発生と測定
- 微粒子発生を伴う高周波シランガスプラズマに及ぼす放電周波数の影響
- プロセシングプラズマ中の微粒子
- RF シランプラズマ中のパウダー生成とその抑制
- Optical Design for Soft X-Ray Projection Lithography : X-Ray Lithography
- 27pYA-1 SrTiO_3,LaGaO_3の電気伝導(27pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pYA-2 BaTiO_3単結晶表面伝導の酸素抜け効果の検討(27pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pYA-3 BaTiO_3と(Pb(Zn_Nb_)O_3)_(PbTiO_3)_の相転移における伝導率ピークのIt特性による検討(27pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYM-2 BaTiO_3単結晶の伝導異常への電極及び不純物効果(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYM-1 分極処理によるBaTiO_3単結晶の伝導率の変化(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYR-10 BaTiO_3TSSG単結晶の伝導異常の広域温度特性(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 25pYR-8 BaTiO_3単結晶の相転移での伝導異常のI-t測定からの解析(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- Throughput Measurement of a Multilayer-Coated Schwarzschild Objective Using Synchrotron Radiation
- 25aZD-6 原子間力顕微鏡と構造解析によるBaTiO_3薄膜の伝導異常の解析(25aZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYR-9 BaTiO_3格子不整合エピ薄膜の伝導異常の熱処理分極処理依存性(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pXK-7 格子不整合なBaTiO_3エピタキシャル膜の伝導の温度依存性(誘電体)(領域10)
- Fabrication of Nanoparticle Composite Porous Films Having Ultralow Dielectric Constant
- Highly Stable a-Si:H Films Deposited by Using Multi-Hollow Plasma Chemical Vapor Deposition
- Cluster-Suppressed Plasma Chemical Vapor Deposition Method for High Quality Hydrogenated Amorphous Silicon Films
- 20pXA-11 強誘電体表面の本質的自由電子ホール層(招待講演,誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 領域10,5,8,3「誘電体の電子ダイナミクス」(第61回年次大会シンポジウムの報告)
- 29pYA-1 はじめに(29pYA 領域10,領域5,領域8,領域3合同シンポジウム:誘電体の電子ダイナミクス,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pYA-4 BaTiO_3エピタキシャル薄膜の伝導異常の実験的解析(27pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pYA-1 はじめに(29pYA 領域10,領域5,領域8,領域3合同シンポジウム:誘電体の電子ダイナミクス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pYN-6 強誘電体薄膜における界面の効果(領域10シンポジウム : 強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYM-4 自由電荷を考慮した強誘電体の電界効果の巨視的理論(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 13pTL-12 高純度 BaTiO_3 単結晶の相転移での伝導異常(誘電体, 領域 10)
- 29pXK-6 as-grown絶縁性BaTiO_3単結晶中伝導の異常の諸特性との相関(誘電体)(領域10)
- 29pXK-5 BaTiO_3単結晶の電極下の分域構造と伝導特性の解析法(誘電体)(領域10)
- 29pXK-4 強誘電体表面の電子系状態における∇P効果(誘電体)(領域10)
- 22pXA-8 BaTiO_3 単結晶の極微小伝導度の温度依存性
- 21pXC-4 As-grown BaTiO_3 単結晶表面の原子ステップ観察
- 解説 ナノ強誘電体のサイズ効果とは何か?--極微小化から見る強誘電性基礎
- 領域8,10「遷移金属酸化物・強誘電体ナノ構造のサイズ効果とは何か?」(2001年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 18pWE-6 表面から見る強誘電体薄膜物性の規定と新物性
- 18pWE-6 表面から見る強誘電体薄膜物性の規定と新物性