シランプラズマ中のクラスタ成長と薄膜形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
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概要
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a-Si:H形成に用いられるシランプラズマ中のクラスタ量は放電周波数の高周波化、H_2希釈で激減する。クラスタ量を減らすと、膜の微細構造パラメータが小さくなり高い曲線因子を実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-08
著者
-
渡辺 征夫
九州大学
-
渡辺 征夫
九州大学大学院システム情報電子デバイス専攻
-
Watanabe Yoshihide
Toyota Central Research And Development Laboratories Inc.
-
白谷 正治
九州大学システム情報科学研究院
-
古閑 一憲
九州大学システム情報科学研究院
-
尾形 隆則
九州大学システム情報科学研究院
-
掛谷 知秀
九州大学システム情報科学研究院
-
鹿口 直斗
九州大学システム情報科学研究院
-
渡辺 征夫
九州大学システム情報科学研究院
-
古閑 一憲
九州大学
-
白谷 正治
九州大学
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