気相堆積重合ポリイミドを用いたTSVライナー形成(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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気相堆積重合により200℃でピロメリット酸二無水物と4,4'-オキシジアニリンからなるKapton^[○!R]構造のポリイミド絶縁膜を高い被覆率でシリコンの深溝に形成した。シリコン深溝の直径が5μm、10μm、15μmの際、上部と底部の被覆率はそれぞれ約75%、80%、100%であった。また、100nm以下から2000nm以上の薄膜まで幅広い厚さで制御可能であった。さらに、TDS分析の結果から、得られた薄膜は、380℃まで脱ガスが無く、熱的に安定であることが分かった。このポリイミド絶縁膜を用いて、直径5μm、アスペクト8以上のCu-TSV(Through-Si Via)を電解めっきにより形成することに成功した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-02-21
著者
-
小柳 光正
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
福島 誉史
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
李 康旭
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
マリアッパン ムルゲサン
東北大学未来科学技術共同研究センター(NICHe)
-
福島 誉史
東北大学未来科学技術共同研究センター(NICHe)
-
〓 志哲
東北大学未来科学技術共同研究センター(NICHe)
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