標準CMOSロジックプロセスで実現する不揮発性化した再構成デバイスの検討(デバイスアーキテクチャ)

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概要

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本稿では,新しい再構成デバイスであるMPLDにおいて,不揮発性PLDを実現するための検討を行う.MPLDは,メモリベースの再構成デバイスであり基本素子であるMLUTを論理と配線の双方として用いることによりFPGAと同等の機能を実現する.そのMLUTが現在SRAMで構成されていることに着目し,そこに不揮発性メモリを適用することで不揮発性MPLDを実現する.その際,MPLDは動作時にメモリの非同期読み出しを行うことや,不揮発性メモリの書き込みに高い電圧が必要なことから,単純なメモリの置き換えだけでは不揮発性MPLDを実現できない.また,フラッシュメモリの専用プロセスを用いることでコストが上がるという問題点がある.そこで,標準ロジックプロセスのみで不揮発性を実現できるメモリを検討し,各制御回路を設計した.シミュレーション結果より,MPLDを不揮発性化した際,MPLDとしての動作が可能なことを確認した.
2011-09-19

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