CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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ホットキャリアに起因するCMOSFETの信頼性がチャネル幅方向の中心付近か素子分離端近傍の何れで支配的に決定されるかを評価するために,4種類のMOSFET<即ち,チャネル幅方向に対して一定の短い(長い)チャネル長の[A]([D]MOSFET),中心付近と素子分離端近傍が短い(長い)及び長い(短い)チャネル長の[B]([C])MOSFET>で構成されるテスト構造を提案し,試作した.得られた信頼性データは3種類に大別され(即ち,[A],[B]/[C]と[D]),本CMOSFETの信頼性は中心付近と素子分離端近傍とで同等であると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-10
著者
-
石井 英二
岡山県立大学 情報工学部
-
松田 敏弘
富山県立大学
-
岩田 栄之
富山県立大学
-
大曽根 隆志
岡山県立大学
-
森下 賢幸
岡山県立大学 情報工学部
-
小椋 清孝
岡山県立大学 情報工学部
-
大曽根 隆志
富山県立大学工学部電子情報工学科
-
森下 賢幸
岡山県立大学情報工学部
-
大曽根 隆志
富山県立大学
-
大曽根 隆志
岡山県立大学情報工学部
-
小椋 清孝
岡山県立大学情報工学部
-
森下 賢幸
岡山県大 情報工
-
森下 賢幸
岡山県立大学
-
小椋 清孝
岡山県立大学
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