n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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MOSFETの非対称性,配置方位依存性はアナログ回路では重要な設計パラメータである.45°単位で回転した方向にMOSFETを配置したTEGを用いて,ドレイン電流,基板電流について,ソースとドレインを入れ替えたときの非対称性と配置方位依存性を解析した.その結果,ゲート長のバラツキが原因と考えられるドレイン電流,基板電流の配置方位依存性が見られた.ソースとドレインを入れ替えた非対称性については,ドレイン電流はどの配置方位でも小さいが,基板電流は,配置方位による非対称性を高い感度で検出していると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
松田 敏弘
富山県立大学
-
杉山 裕也
富山県立大学
-
岩田 栄之
富山県立大学
-
大曽根 隆志
岡山県立大学
-
大曽根 隆志
富山県立大学工学部電子情報工学科
-
大曽根 隆志
富山県立大学
-
大曽根 隆志
岡山県立大学情報工学部
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