高精度CMOS定電圧回路の開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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概要
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標準的なCMOSプロセスを用いて、電源電圧依存性:O.1mV/V(V_<DD>=3〜5V)、温度係数:5μV/℃(T=-60〜+100℃)の基準電圧発生回路を設計した。本回路では、MOSFETの3つの動作領域(サブ・スレッショールド領域、線形領域および飽和領域)の特性を組み合わせることで、絶対0度におけるしきい値電圧を基準とした一定電圧(V_<TR>)を発生している。出力電圧をn-MOSFETのゲートにフィードバックすることできわめて安定な出力電圧が得られた。本回路はわずか17個のMOSFETで構成され、1.2μm n-well CMOSプロセスで試作した面積は0.18mm^2である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-08-13
著者
-
山本 真也
株式会社シキノハイテック
-
松田 敏弘
富山県立大学
-
伊原 隆
株式会社シキノハイテック
-
南 隆一
富山県立大学工学部
-
岩田 栄之
富山県立大学
-
大曽根 隆志
岡山県立大学
-
金森 章
富山県立大学工学部
-
中島 茂樹
株式会社シキノハイテック
-
大曽根 隆志
富山県立大学工学部電子情報工学科
-
大曽根 隆志
富山県立大学
-
大曽根 隆志
岡山県立大学情報工学部
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