ポーラスSiの2次元発光像の解析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 多孔質シリコン(Porous Silicon :PS)の形成条件と構造,発光特性との関係を調べるために, 微弱発光現象解析装置をPSの2次元フォトルミネッセンス(Photo-luminescence : PL)像の解析に応用した.化成中の照射光を変化させたp型およびn型PSの断面のPL発光2次元像を観察した.化成中に強い光を照射したP型では, 発光波長が大きくなるにつれPL強度分布のピーク位置はPS層の内部方向へ移動する. 一方, 光を照射しないで化成したものは, 表面付近に長波長の強度ピークがある. n型PSでは, PL強度のピークは表面付近にあり, 波長によってその位置はあまり変化しない.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-12-05

著者

• 谷野 克巳

  富山県工業技術センター

• 松田 敏弘

  富山県立大学

• 大曽根 隆志

  岡山県立大学

• 大曽根 隆志

  富山県立大学工学部電子情報工学科

• 松田 敏弘

  富山県工業技術センター 機械電子研究所

• 新保 篤志

  富山県立大学工学部電子情報工学科

• 林 隆典

  富山県立大学工学部電子情報工学科

• 大曽根 隆志

  富山県立大学

• 大曽根 隆志

  岡山県立大学情報工学部

関連論文

• ポリマーバッテリー用高分子固体電解質の開発
• はんだ付け用低温硬化型導電塗料の開発
• NiTi形状記憶合金を用いたアクチュエータの開発
• 電波干渉法による雪の複素誘電率推定(計測・探査)
• n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ)・ドレイン解析用テスト構造(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ)・ドレイン解析用テスト構造(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 高精度CMOS定電圧回路の開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 高精度CMOS定電圧回路の開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• ナノスケールMOSFET対応の2次元量子力学的自己無撞着モデル
• 半導体デバイス内の発光分布と発光解析用顕微鏡で観測した光強度分布の光伝搬経路シミュレーションを用いた比較
• シリコン・イオン注入したゲート酸化膜における界面準位測定法の比較
• シリコン・イオン注入したゲート酸化膜における界面準位測定法の比較
• 半導体デバイス内の反射と透過を考慮した光伝搬経路と光量強度分布解析
• 複素屈折率の媒質境界における入射・屈折角特性の分類
• 半導体デバイス内の光伝搬経路と光量強度分布の一解析法
• 発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
• 発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
• 発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
• ポーラスSiの2次元発光像の解析
• NiTi形状記憶合金薄膜の組成と相変態
• RFマグネトロンスパッタ法とイオンビームスパッタ法にて作製されたNiCr薄膜の抵抗温度係数特性に及ぼす熱ひずみ効果(電子部品)
• NiCr薄膜抵抗体における熱歪と抵抗温度係数(TCR)特性(薄膜プロセス・材料, 一般)
• C-6-10 NiCrスパッタ膜の熱歪が温度抵抗特性TCRに及ぼす効果(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• 厚膜集積化ガスセンサによる室内VOCの識別
• 室内空気汚染に対して高感度な酸化物半導体材料の探索
• イオンマイグレーションによるガラス基板上の銀デンドライトの成長とそのフラクタル次元
• D-18-3 動的再構成可能型MP3復号回路における再構成演算部の階層構造の決定(D-18.リコンフィギャラブルシステム,一般講演)
• C-005 特定用途向け再構成型回路生成ツールによるMP3復号回路の実装(C分野:アーキテクチャ・ハードウェア)
• D-18-2 特定用途向け再構成型回路生成ツールの開発(D-18. リコンフィギャラブルシステム, 情報・システム1)
• C-12-5 動的再構成可能な汎用プロセッサ DRCAP2-SEAL の開発-C コンパイラ
• ブロックアーキテクチャに基づく動的再構成可能なMPEGプロセッサ(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• ブロックアーキテクチャに基づく動的再構成可能なMPEGプロセッサ(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 漆塗料の耐湿性と電子部品用保護塗料への応用
• 半導体デバイス内の反射と屈折透過を考慮した光伝搬経路と光量強度分布
• 低温における不均一半導体デバイス解析のための輸送方程式の導出
• 高い(電子・正孔)移動度を有する高性能な統合化 CMOS デバイスの提案
• 集積化VOCセンサの高感度化
• 電子回路用銅導電塗料の開発と諸性質
• 半導体デバイス内で発生した光の伝搬経路と光量強度分布の一解析法

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク