低温における不均一半導体デバイス解析のための輸送方程式の導出
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概要
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Transport equations for use in analysis of not only homogenous but also variable composition semiconductor devices at low-temperatures are systematically derived. In these equations, Fermi-Dirac statistics and position-dependent band structure are taken into account. The general transport equations in materials with nonuniform band structure of previous workers are recast into a simple form so as to be convenient for use in numerical device simulation of those semiconductors at low-temperatures.
- 日本応用数理学会の論文
- 1997-03-15
著者
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