半導体デバイス内の反射と透過を考慮した光伝搬経路と光量強度分布解析

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概要

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• The optical beam propagation path inside the MOSFET devices and the relation between a photoemission source and an image observed from outside the devices have been analyzed. We have studied the propagation path and intensity distribution with the algorithm, which takes account of the partial reflection and the refracted transmission in the device mediums with respect to the incident angle. The result can be applied to the analysis of the image of photoemission from semiconductor devices using photoemission microscopes.

• 日本シミュレーション学会の論文
• 2001-03-15

著者

• 松田 敏弘

  富山県立大学

• 大曽根 隆志

  岡山県立大学

• 亀田 悦正

  富山工業高等専門学校電気工学科

• 大曽根 隆志

  富山県立大学工学部電子情報工学科

• 亀田 悦正

  富山工業高等専門学校

• 大曽根 隆志

  富山県立大学

• 大曽根 隆志

  岡山県立大学情報工学部

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