シリコン・イオン注入したゲート酸化膜における界面準位測定法の比較

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概要

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n-MOSFETのゲート酸化膜への高濃度のシリコン・イオン注入およびボロン・チャネル・ドーズが界面準位密度に及ぼす影響を、高・低周波容量法、サブ・スレッショールド電流法、チャージ・ポンピング法の3種類の方法によって評価し、比較した。ボロン・チャネル・ドーズは、ほとんど界面準位密度に影響を与えなかった。シリコン・イオン注入条件の変化に対しては、いずれの方法で求めた界面準位密度もほぼ同様の傾向を示すが、高・低周波容量法での測定値がやや低くなった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-07-27

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