発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
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概要
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拡大倍率を500倍に改良した発光顕微鏡と酸化膜欠陥位置を正確に決定するために周期的なX-Yマトリクス状に配置したMOS容量パターンを有するテスト構造を組み合わせて、酸化膜欠陥位置に対応する最大発光位置を0.1ミクロン以下の位置分解能で決定した。酸化膜欠陥からの発光点があるフィールド酸化膜の島状領域はランダムに分布し、顕微鏡の反射光像の凹部に対応するLOCOS 分離端はゲート酸化膜端から約+0.3ミクロンに位置する。酸化膜欠陥はこのLOCOS分離端から+0.4~-0.1ミクロンの範囲に存在する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-20
著者
-
松田 敏弘
富山県立大学
-
大曽根 隆志
岡山県立大学
-
亀田 悦正
富山工業高等専門学校電気工学科
-
大曽根 隆志
富山県立大学工学部電子情報工学科
-
勇崎 正恵
富山県立大学 工学部 電子情報工学科
-
松田 敏弘
富山県工業技術センター 機械電子研究所
-
亀田 悦正
富山工業高等専門学校
-
大曽根 隆志
富山県立大学
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