ナノスケールMOSFET対応の2次元量子力学的自己無撞着モデル

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 富山県立大学の論文

著者

• 松田 敏弘

  富山県立大学

• 岩田 栄之

  富山県立大学

関連論文

• n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ)・ドレイン解析用テスト構造(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ)・ドレイン解析用テスト構造(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 高精度CMOS定電圧回路の開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 高精度CMOS定電圧回路の開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• ナノスケールMOSFET対応の2次元量子力学的自己無撞着モデル
• 半導体デバイス内の発光分布と発光解析用顕微鏡で観測した光強度分布の光伝搬経路シミュレーションを用いた比較
• シリコン・イオン注入したゲート酸化膜における界面準位測定法の比較
• シリコン・イオン注入したゲート酸化膜における界面準位測定法の比較
• 半導体デバイス内の反射と透過を考慮した光伝搬経路と光量強度分布解析
• 複素屈折率の媒質境界における入射・屈折角特性の分類
• 半導体デバイス内の光伝搬経路と光量強度分布の一解析法
• 発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
• 発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
• 発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
• ポーラスSiの2次元発光像の解析
• 低温における不均一半導体デバイス解析のための輸送方程式の導出
• 高い(電子・正孔)移動度を有する高性能な統合化 CMOS デバイスの提案

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク