Selective Disordering of InGaAs Strained Quantum Well by Rapid Thermal Annealing with SiO_2 Caps of Different Thicknesses for Photonic Integration
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2000-10-15
著者
-
栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
-
NISHIHARA Hiroshi
Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University
-
Shimada Naoyuki
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Shimada Naoyuki
Department Of Biology Faculty Of Science Shizuoka University
-
UEMUKAI Masahiro
Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University
-
Nishihara H
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Larsson Anders
Photonics Laboratory Department Of Microelectronics Chalmers University Of Technology
-
Suhara Toshiaki
Department Of Elect Ronics Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Uemukai Masahiro
The Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University
-
FUKUMOTO Yutaka
Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University
-
Fukumoto Yutaka
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Nishihara Hiroshi
Department Of Chemistry School Of Science The University Of Tokyo
-
Nishihara Hiroshi
Department Of Chemistry Faculty Of Science And Technology Keio University
-
Uemukai Masahiro
Department of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan
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