傾斜グレーティングを用いたInGaAs量子井戸広面積DBRレーザ
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概要
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高出力かつ回折限界に近いビーム発散角を有する半導体レーザの実現のため, レーザ端面に対して傾斜したグレーティングを電極ストライプの両脇に設け共振器を構成し, さらに表面グレーティングを採用することにより作製を簡単化した広面積DBRレーザを提案・作製し, その評価を行った.このレーザの動作を確認し, 傾斜グレーティングを用いることの有効性と問題点を明らかにした.また, 平行ビーム出力のためのグレーティング出力結合器を集積したデバイスを提案・作製し, CW動作で30dB以上のサイドモード抑圧比の単一縦モード発振と平行ビーム出力を得た.
- 2002-01-17
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