InGaAs歪量子井戸の選択的無秩序化の検討
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概要
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能動素子と受動素子を含むモノリシック光集積デバイスの実現に重要な技術として、量子井戸バンドギャップエネルギーを高速熱処理による無不純物空孔拡散によって空間選択的に増大させる選択的無秩序化について検討した。InGaAs歪量子井戸について水素プラズマ処理やリンドープシリカ(P:SiO_2)膜装荷など種々の無秩序化抑制法を適用して抑制効果を調べた。また、レーザの作製により部分的無秩序化がレーザ活性特性に及ぼす影響について検討した。
- 1999-01-19
著者
-
西原 浩
大阪大学
-
島田 尚往
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
上向井 正裕
大阪大学大学院工学研究科
-
栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
-
西原 浩
阪大工
-
西原 浩
放送大学 大阪学習センター
-
西原 浩
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
宮田 美知太郎
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
西原 浩
大阪大学大学院工学研究科
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