InGaAs-AlGaAs発振器-増幅器-グレーティング結合器集積化レーザ
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概要
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化合物半導体基板上にレーザ発振器とパワー増幅器を集積化したモノリシック半導体レーザは,小型で高出力な光源として広く応用が期待されている.本論文では,曲線表面グレーティング型DBR発振器,テーパ型パワー増幅器及びグレーティング出力結合器から構成され,一度のエピタキシャル成長で作製でき,その出力を平行ビームとして取り出せる高出力半導体レーザについて報告する.ビーム伝搬法を用いた理論シミュレーションによるパワー増幅器の設計及び増幅器内で生じる波面ひずみを補正する機能を付加したグレーティング出力結合器の設計を行い,光集積デバイスを作製し評価した.CW動作で波長985nm,最大出力124mWの平行出力ビームが得られた.また,出力結合器の補正機能により,高い増幅器注入電流の領域でも波面ひずみによる出力ビーム平行度劣化を低減できることを確認した.
- 1999-09-25
著者
-
西原 浩
大阪大学
-
上向井 正裕
大阪大学大学院工学研究科
-
栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
-
西原 浩
阪大工
-
西原 浩
放送大学 大阪学習センター
-
西原 浩
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
LARSSON Anders
チャルマース工科大マイクロ電子工学科
-
松本 尚寛
大阪大学大学院工学研究科
-
Eriksson Niklas
チャルマース工科大学
-
ラールソン アンダース
Photonics Laboratory Department Of Microtechnology And Nanoscience Chalmers University Of Technology
-
Eriksson Niklas
Photonics Laboratory Department Of Microelectronics Chalmers University Of Technology
-
エリクソン ニクラス
チャルマース工科大学
-
西原 浩
大阪大学大学院工学研究科
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