高効率擬似位相整合和周波発生導波路デバイスによる全光スイッチング
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速全光スイッチは光通信や光信号処理など多くの分野で求められている。導波路非線形光学和周波発生(SFG)デバイスを用いた全光スイッチを提案・検討した。デバイスに信号光と強い制御光を入射すると、SFGに伴い信号光パワーが減衰する。制御光パワーが適当であれば透過信号光パワーがゼロになるので、制御光のオン/オフで信号光をオン/オフできる。相互作用長5.55cm、規格化SFG効率2800%/Wの擬似位相整合SFGデバイスを作製、波長1.537μmの制御光を用いてCW信号光(波長1.552μm)のスイッチングを試みた。制御光パワー185mWの時に97%の透過信号光パワー減衰が観測され、光スイッチング動作が確認できた。
- 2000-05-19
著者
-
西原 浩
大阪大学
-
栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
-
西原 浩
阪大工
-
西原 浩
放送大学 大阪学習センター
-
藤村 昌寿
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
西原 浩
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
Parameswaran K.R.
Ginzton Laboratory, Stanford University
-
Fejer M.M.
Ginzton Laboratory, Stanford University
-
Fejer M
Stanford Univ. California
-
フェヤー M.m.
スタンフォード大学ギンズトン研究所
-
藤村 昌寿
大阪大学大学院 工学研究科電気電子情報工学専攻
-
Parameswaran K.r.
Ginzton Laboratory Stanford University
-
Fejer M.m.
Ginzton Laboratory Stanford University
-
西原 浩
大阪大学大学院工学研究科
関連論文
- 通信・情報産業分野
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 3次グレーティングカップラの高効率化の基礎検討
- 光集積回路デバイスの進展
- THz波発生用AlGaAs量子井戸リッジ型2波長集積DBRレーザ(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- THz波発生用AlGaAs量子井戸リッジ型2波長集積DBRレーザ(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 導波モード選択集光グレーティングカップラ
- 導波モード選択集光グレーティングカップラ(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- 導波モード選択集光グレーティングカップラ(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- 導波モード選択集光グレーティングカップラ(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- 電子ビ-ム描画作製によるブレ-ズ化マイクロフレネルレンズ
- 電子ビ-ム描画作製マイクロフレネルレンズ
- 16)ストライプ・コード法を用いた新しいホログラフィック・カラー・ビデオ・メモリー(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 高周波間げき電界による電子ビ-ムエネルギ-単色化法(技術談話室)
- Nd熱拡散Z軸伝搬Ti:LiNbO_3を用いたQスイッチ導波路レーザ
- Nd熱拡散Z軸伝搬Ti:LiNbO_3を用いたQスイッチ導波路レーザ
- Nd熱拡散Z軸伝搬Ti:LiNbO_3を用いたQスイッチ導波路レーザ
- Nd熱拡散Z軸伝搬Ti:LiNbO_3を用いたQスイッチ導波路レーザ
- 光デバイス
- Yb熱拡散添加LiNbO_3アニール・プロトン交換導波路レーザ(レーザ・量子エレクトロニクス)
- Yb熱拡散添加LiNbO_3アニール・プロトン交換導波路レーザ
- Yb熱拡散添加LiNbO_3アニール・プロトン交換導波路レーザ(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- Yb熱拡散添加LiNbO_3アニール・プロトン交換導波路レーザ(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- Yb熱拡散添加LiNbO_3アニール・プロトン交換導波路レーザ(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- Yb熱拡散添加LiNbO_3アニール・プロトン交換導波路レーザ(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 光通信波長帯単一光子検出用導波路擬似位相整合和周波発生デバイス
- 光通信波長帯単一光子検出用導波路擬似位相整合和周波発生デバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 光通信波長帯単一光子検出用導波路擬似位相整合和周波発生デバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 光通信波長帯単一光子検出用導波路擬似位相整合和周波発生デバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- LiNbO_3導波路非線形光学デバイスにおける超短パルス波長変換特性の解析
- 高効率擬似位相整合和周波発生導波路デバイスによる全光スイッチング
- 高効率光サンプリングのためのLiNbO_3導波路擬似位相整合和周波発生デバイス
- Thermally-Grown Silicon-Dioxide Waveguides for Use in UV Light
- Electro-Optic Functional Waveguide Using New Polymer p-NAn-PVA for Integrated Photonic Devices
- 偏波エンタングル光子対発生用導波路非線形光学デバイス
- 表面曲線グレーティングを用いた量子井戸分布ブラッグ反射型レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 表面曲線グレーティングを用いた量子井戸分布ブラッグ反射型レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 表面曲線グレーティングを用いた量子井戸分布ブラッグ反射型レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 表面曲線グレーティングを用いた量子井戸分布ブラッグ反射型レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 導波型 Type II 擬似位相整合非線形光学デバイスによる偏波エンタングル光子対発生
- 導波型Type II擬似位相整合非線形光学デバイスによる偏波エンタングル光子対発生(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 導波型Type II擬似位相整合非線形光学デバイスによる偏波エンタングル光子対発生(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 導波型Type II擬似位相整合非線形光学デバイスによる偏波エンタングル光子対発生(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 導波型 TypeII 擬似位相整合非線形光学デバイスによる偏波エンタングル光子対発生
- 導波型 TypeII 擬似位相整合非線形光学デバイスによる偏波エンタングル光子対発生
- 曲線グレーティングを用いたInGaAs量子井戸DBRレーザの高出力化(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 曲線グレーティングを用いたInGaAs量子井戸DBRレーザの高性能化
- 西澤典彦氏の論文紹介
- 周期状分極反転を用いた波長変換デバイスと光通信応用
- グレーティング素子集積半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 厚さの異なるSiO_2キャップを用いたひずみ量子井戸選択的無秩序化によるレーザと受動素子のモノリシック集積化
- 光導波路の積層集積化とグレーティング対結合
- 厚さの異なるSiO_2キャップを用いた歪量子井戸選択的無秩序化によるレーザと受動素子の集積化
- 厚さの異なるSiO_2キャップを用いた歪量子井戸選択的無秩序化によるレーザと受動素子の集積化
- 厚さの異なるSiO_2キャップを用いた歪量子井戸選択的無秩序化によるレーザと受動素子の集積化
- 厚さの異なるSiO_2キャップを用いた歪量子井戸選択的無秩序化によるレーザと受動素子の集積化
- スーパーモードを介した積層導波路間グレーティング対結合
- スーパーモードを介した積層導波路間グレーティング対結合
- スーパーモードを介した積層導波路間グレーティング対結合
- スｰパｰモｰドを介した積層導波路間グレｰティング対結合
- InGaAs-AlGaAs発振器-増幅器-グレーティング結合器集積化レーザ
- 進行波型非線形光学デバイスによるスクイズド光の発生と変換の理論解析
- InGaAs歪量子井戸の選択的無秩序化の検討
- InGaAs歪量子井戸の選択的無秩序化の検討
- InGaAs歪量子井戸の選択的無秩序化の検討
- InGaAs歪量子井戸の選択的無秩序化の検討
- グレーティングカプラを用いた導波路間同方向結合の高効率化の基礎検討
- LiNbO_3周期分極反転構造を有する導波型光波長変換素子
- LiNbO_3導波路疑似位相整合差周波発生デバイスによる波長変換の検討
- グレーティング素子と量子井戸レーザを用いたモノリシック光集積センサ
- InGaAs/AlGaAs歪量子井戸構造DBR発振器・パワー増幅器・グレーティング結合器集積化レーザ
- InGaAs/AlGaAs歪量子井戸構造DBR発振器・パワー増幅器・グレーティング結合器集積化レーザ
- グレーティングカプラを用いた積層導波路間結合
- DFBレーザ発振器・テーパ型パワー増幅器・集光グレーティングカップラのモノリシック集積化
- グレーティングカップラを用いた積層導波路間結合
- グレーティングカップラを用いた積層導波路間結合
- 共振型導波路光第2高調波発生デバイスの理論解析
- 光集積偏光回転検出デバイス用 2重積層グレーテイングカップラの基礎特性
- 共振型導波路光第2高調波発生デバイスの理論解析
- 3次グレｰティングカップラの高効率化の基礎検討
- 光集積偏光回転検出デバイス用2重積層グレｰティングカップラの基礎特性
- 擬似位相整合用グレーティングの位相反転変調による導波路光SHG素子の位相不整合量受容幅拡大
- 逆進導波モード結合を利用したグレーティングカップラの放射光制御
- Er熱拡散Ti:LiNbO_3導波路レーザー
- Nd熱拡散Z板MgO:LNを用いたTi拡散導波路レーザ
- グレーティング素子と量子井戸レーザを用いたモノリシック光集積センサ
- AlGaAs GRIN-SCH導波路におけるグレーティング素子の設計と集積化
- Nd熱拡散Z板MgO:LNを用いたTi拡散導波路レーザ
- Nd熱拡散Z板MgO:LNを用いたTi拡散導波路レーザ
- Nd熱拡散Z板MgO:LNを用いたTi拡散導波路レｰザ
- Nd熱拡散Ti:LiNbO_3導波路レーザの作製と発振特性
- 電圧印加によるLiNbO_3SHGデバイス用分極反転グレーティングの作製
- 電圧印加によるLiNbO_3SHGデバイス用分極反転グレーティングの作製
- Z板Ti拡散Nd : LiNbO_3導波路レーザーの検討
- マイクロオプティックス技術
- 線集光グレーティングカプラを用いた光集積変位センサ
- Nd熱拡散LiNbO_3導波路レーザーの機能化の検討
- レーザ・エレクトロオプティクス環太平洋会議
- 共振器型LiNbO_3導波路擬似位相整合光第2高調波発生デバイスの検討
- 次世代光通信用LiNbO3光集積デバイス--希土類イオンド-プLiNbO3導波路におけるレ-ザ発振/光増幅 (レ-ザ-研シンポジウム′95--1994年4月-1995年3月)