フェヤー M.m. | スタンフォード大学ギンズトン研究所
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概要
関連著者
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フェヤー M.m.
スタンフォード大学ギンズトン研究所
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藤村 昌寿
大阪大学大学院 工学研究科電気電子情報工学専攻
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西原 浩
大阪大学
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栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
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Fejer M.M.
Ginzton Laboratory, Stanford University
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藤村 昌寿
大阪大学工学部電子工学科
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藤村 昌寿
大阪大学工学研究科
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西原 浩
阪大工
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西原 浩
放送大学 大阪学習センター
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藤村 昌寿
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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西原 浩
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Fejer Martin
スタンフォード大学
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栖原 敏明
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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西原 浩
大阪大学工学研究科
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Parameswaran K.R.
Ginzton Laboratory, Stanford University
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Fejer M
Stanford Univ. California
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Bortz M
スタンフォード大学
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Parameswaran K.r.
Ginzton Laboratory Stanford University
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Fejer M.m.
Ginzton Laboratory Stanford University
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ボルツ M.L.
スタンフォード大学ギンズトン研究所
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Bortz Michael
スタンフォード大学
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西原 浩
大阪大学大学院工学研究科
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栖原 敏明
大阪大学工学研究科
著作論文
- 高効率擬似位相整合和周波発生導波路デバイスによる全光スイッチング
- 擬似位相整合用グレーティングの位相反転変調による導波路光SHG素子の位相不整合量受容幅拡大
- 擬似位相整合用グレーティングの位相反転変調による導波路SHGデバイスの波長受容幅拡大