擬似位相整合用グレーティングの位相反転変調による導波路光SHG素子の位相不整合量受容幅拡大
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概要
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最近,高効率の導波路擬似位相整合第2高調波発生(QPM-SHG)デバイスが報告されているが,それらの位相不整合量受容幅は狭く,実用化への問題点となっている.本論文は,高いSHG変換効率を維持しつつ位相不整合量受容幅を拡大する手法を理論的・実験的に検討している.非線形分極波の部分的位相反転により変換効率の位相不整合量依存性を変化させ得る.筆者らは,この手法を用いて,15倍の受容幅拡大を達成できる位相反転分布パターンを理論計算により見いだしている.また,非線形分極波の位相反転を強誘電分極反転グレーティングの位相反転変調により実現したSHGデバイスをLiNbO_3基板上に作製,そのSHG変換効率の基本波波長依存性を測定して,相互作用長3.9mmに対して3.8nmの波長受容幅を得ている.この実験結果は理論予測と極めて良く一致している.
- 1994-10-25
著者
-
西原 浩
大阪大学
-
栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
-
栖原 敏明
大阪大学工学研究科電子工学専攻
-
西原 浩
大阪大学工学研究科
-
Fejer M.M.
Ginzton Laboratory, Stanford University
-
フェヤー M.m.
スタンフォード大学ギンズトン研究所
-
藤村 昌寿
大阪大学工学部電子工学科
-
藤村 昌寿
大阪大学大学院 工学研究科電気電子情報工学専攻
-
ボルツ M.L.
スタンフォード大学ギンズトン研究所
-
藤村 昌寿
大阪大学工学研究科
-
栖原 敏明
大阪大学工学研究科
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