厚さの異なるSiO_2キャップを用いたひずみ量子井戸選択的無秩序化によるレーザと受動素子のモノリシック集積化
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概要
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モノリシック光集積デバイス実現のための低損失受動導波路形成技術として, InGaAsひずみ量子井戸の選択的無秩序化を2種類の厚さのSiO_2キャップと高速熱処理を用いて行う方法を検討した.ホトルミネッセンス測定によりキャップ層厚が厚い方が無秩序化の程度が大きいことを確認した.同一基板上で選択的無秩序化を行い, SiO_2を300nm堆積した領域と30nmの領域で23nmのレーザ発振波長差を得た.受動導波路を集積化したファブリペローレーザを作製して受動導波路光損失を評価し, 無秩序化しない場合の40cm^<-1>から3cm^<-1>の大幅に低減できた.またグレーティング領域で量子井戸を無秩序化した分布ブラッグ反射型レーザを作製し, 無秩序化しないレーザに比べてレーザ特性の顕著な改善に成功した.
- 2001-12-01
著者
-
西原 浩
大阪大学
-
島田 尚往
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
上向井 正裕
大阪大学大学院工学研究科
-
栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
-
西原 浩
阪大工
-
西原 浩
放送大学 大阪学習センター
-
西原 浩
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
福本 豊
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
LARSSON Anders
チャルマース工科大マイクロ電子工学科
-
ラールソン アンダース
Photonics Laboratory Department Of Microtechnology And Nanoscience Chalmers University Of Technology
-
西原 浩
大阪大学大学院工学研究科
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