グレーティング素子集積半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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グレーティング素子を集積したインプレーン型半導体レーザに関する著者らのグループの研究を概観し、最近の結果を報告する。グレーティング素子を用いることにより、レーザ発振のための波長選択フィードバックだけでなく、出力ビーム整形や波長可変化などの機能を実現できる。半導体量子井戸導波路構造に形成したリッジ構造の活性領域と表面グレーティングをデバイス基本構造とし、受動導波路部分は無不純物空孔拡散および不純物誘起空孔拡散による量子井戸の選択的無秩序化で低損失化を行っている。InGaAs/AlGaAs GRIN-SCH-SQW構造を用いた分布ブラッグ反射型(DBR)発振器・パワー増幅器(MOPA)集積レーザ、外部共振型波長可変レ-ザ、傾斜グレーティング広面積DBRレーザ、高効率低雑音DBRレーザについて、デバイス構造、設計・作製と実験結果を報告する。いくつかのデバイスは出力ビーム整形機能をもつグレーティング結合器を集積化したもので、レンズレスで平行ビームを出力する小型安定なモジュールとすることができる。赤色光を発振するGaInP/AlGaInP量子井戸DBRレーザの予備的実験結果についても報告する。
- 2003-12-12
著者
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