擬似位相整合用グレーティングの位相反転変調による導波路SHGデバイスの波長受容幅拡大
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概要
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導波路第2高調波発生(SHG)デバイス実用化には広い基本波波長, 温度受容幅が必要である。本稿では、高いSHG変換効率を保ちつつ波長/温度受容幅を拡大する手法を理論的・実験的に検討した結果を示す。通常のSHGでの変換効率は、基本波波長変動などで生じる基本波とSH波の位相不整合に対してsinc関数の2乗の依存性を持つ。我々は、基本波から生じる非線形分極波の位相を部分的に反転させてこの依存性を改造し、15倍の受容幅拡大を達成した。LiNbO_3基板上に強誘電分極反転グレーティングと光導波路を集積化したデバイスを作製、そのSHG変換効率の基本波波長依存性を測定した。実験結果と理論予測は非常に良く一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-21
著者
-
Fejer Martin
スタンフォード大学
-
フェヤー M.m.
スタンフォード大学ギンズトン研究所
-
藤村 昌寿
大阪大学工学部電子工学科
-
Bortz M
スタンフォード大学
-
藤村 昌寿
大阪大学大学院 工学研究科電気電子情報工学専攻
-
Bortz Michael
スタンフォード大学
-
藤村 昌寿
大阪大学工学研究科
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