Piezoelectric Properties of Bismuth Layer-Structured Ferroelectric Ceramics witha Preferred Orientation Processed by the Reactive Templated Grain Growth Method
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-09-30
著者
-
TAKEUCHI Tomoyuki
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science
-
Takeuchi Tetsuya
Department Of Electrical And Electronic Engineering Meijo University
-
Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
Takeuchi Tomoyuki
Department Of Applied Physics Tokyo University Of Science
-
Takeuchi T
Department Of Chemical Engineering Science Yokohama National University
-
TAKEUCHI Tsuguto
Toyota Central R&D Labs., Inc.
-
TANI Toshihiko
Toyota Central R&D Labs., Inc.
-
SAITO Yasuyoshi
Toyota Central R&D Labs., Inc.
-
Tani T
Toyota Central R&d Labs. Inc.
-
Tani Toshihiko
Toyota Central R&D Labs., Inc.
関連論文
- 20pGS-2 高エネルギー分解能EELS測定によるCNT励起子効果の研究(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- Magnetization Process of Haldane Materials TMNIN and NINAZ
- 30aYH-12 C_ピーポッドのフェムト秒非線形光学応答(30aYH ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pTC-10 フラーレンピーポッドのフェムト秒非線形光学応答(20pTC ナノチューブII,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aRC-5 C_ピーポッドのフェムト秒非線形光学応答(ナノチューブ(光物性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pUF-4 TEM-EELSによるカーボンナノチューブの電子構造の研究(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aXA-6 TEM-EELSによる2層カーボンナノチューブの電子構造の研究(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 17pTJ-6 二層ナノチューブの層間整合性
- 結晶成長の物理II : 理想成長からのずれ : 界面張力の効果
- 27aUA-8 2層カーボンナノチューブの3次光学非線形性II(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pYF-4 2層カーボンナノチューブの3次光学非線形性(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pS-15 カーボンナノチューブからの電界放出(2) : 電子の運動エネルギー分布について
- 30aZP-10 TEM-EELSによるカーボンナノチューブの電子構造の研究(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- Multiband Superconductivity in Heavy Fermion Compound CePt_3Si without Inversion Symmetry : An NMR Study on a High-Quality Single Crystal(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- Electronic Structure Characteristics of MBE (molecular beam epitaxy)-Grown Diluted Magnetic Semiconductor Ga_Cr_xN Films
- 結晶成長の物理III : 熱伝導に支配された樹枝状結晶成長
- 23aWB-6 その場顕微鏡法による単一カーボンナノチューブエミッタの作製と電界放出特性の評価(ナノチューブ(伝導),領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aRA-4 カーボンナノチューブ電界エミッタにおける金属蒸着の効果(ナノチューブ(物性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aPS-37 Al/Si(113)表面の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-3 In/Si(113)の表面再配列構造の研究III(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- カーボンナノチューブにおける電界放出と表面エレクトロマイグレーションの動的観察
- 23aYF-10 二層カーボンナノチューブ束の通電破損のTEM中その場観察(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 太いCNT上に成長させた細いCNTとその電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 30aTE-3 カーボンナノチューブ表面上での電流誘起された金属移動のTEMその場観察(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aPS-34 In/Si(113)の表面再配列構造の研究II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pUF-14 Nd;YAGレーザ照射による多層CNT五員環上の吸着分子の脱離(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aPS-37 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析IV(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pYF-10 内包単層カーボンナノチューブのNMR(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-13 CNT電界エミッタのin-situ TEMによる動的観察(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 15aPS-47 Ag/Si(111)√×√ 表面の低温構造の解析 III(領域 9)
- 14pXG-6 In/Si(113) の表面再配列構造の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- Magnetization Measurement of NENP and NINO in High Magnetic Field
- 24aWX-7 結晶成長におけるキラル対称性の破れ : ARSモデル(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRA-5 単層カーボンナノチューブバンドルの超高速励起子エネルギー移動(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29aZB-6 分子内包単層カーボンナノチューブの NMR (III)
- 17pTJ-5 フラーレン内包単層カーボンナノチューブのNMR
- 28aYX-2単層カーボンナノチューブの水素ガス吸着特性
- 27aWB-4 アーク放電による二層カーボンナノチューブ (DWCNT) の成長
- 28aYX-6 ドープした単層カーボンナノチューブのNMR (II)
- 24pS-2 単層カーボンナノチューブのNMR(II)
- 24pS-1 アルカリ-水素-単層カーボンナノチューブ集合体の構造と電子状態
- カーボンナノチューブを電子源とした超高輝度光源管
- カーボンナノチューブのディスプレイデバイスへの応用
- A Quantum Spin Chain in High Magnetic Fields
- 結晶成長の物理 IV : 溶液からの結晶成長
- 磁性金属内包カーボンナノチューブの磁気特性
- カーボンナノチュユーブ電子源とディスプレイ (特集 ナノカーボン材料の創製と応用の最前線)
- カーボンナノチューブからの電界放出とディスプレイデバイスへの応用
- High Field Magnetization of Cr-Dimer Complexes
- アーク放電法によるγ-Feカーボンナノカプセルの合成
- Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
- ニューダイヤモンド,ニューカーボンと電子放出の将来
- Highly Reliable MOS Trench Gate FET by Oxygen Radical Oxidation
- Improved J-E Characteristics and Stress Induced Leakage Currents (SILC) in Oxynitride Films Grown at 400℃ by Microwave-Excited High-Density Kr/O_2/NH_3 Plasma
- Low Temperature Gate Oxidation MOS Transistor Produced by Kr/O_2 Microwave Excited High-Density Plasma
- Ultra-Thin Silicon Oxynitride Film Grown at Low-Temperature by Microwave-Excited High-Density Kr/O_2/N_2 Plasma
- Ultra-Thin Silicon Oxynitride Films as Cu Diffusion Barrier for Lowering Interconnect Resistivity
- High-Integrity Silicon Oxide Grown at Low-Temperature by Atomic Oxygen Generated in High-Density Krypton Plasma
- 27aYN-6 2層カーボンナノチューブの超高速ダイナミクス(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- Electronic Structures of Bi_4Ti_3O_ Thin Film and Single Crystal Determined by Resonant Soft-X-Ray Emission Spectroscopy
- Electronic Structure in the Bulk State of Protonic Conductor CaZrO_3 by Resonant Soft-X-Ray Emission Spectroscopy : Electrical Properties of Condensed Matter
- 12pWF-13 単層カーボンナノチューブの磁性分子吸着特性 (III)(ナノチューブ物性, 領域 7)
- Study on the Seeded Growth of AlN Bulk Crystals by Sublimation
- 27aWB-3 カーボンナノチューブ表面でのガス分子吸着
- カーボンナノチューブ先端の五員環からの電界放出
- 24pS-4 カーボンナノチューブの電界蒸発により生成されるマジッククラスターC_
- 24pS-3 超高真空電界放出顕微鏡法によるカーボンナノチューブ先端の五員環の観察
- Preparation and Properties of (Pb,La)TiO_3 Pyroelectrie Thin Films by RF-Magnetron Sputtering
- 解説 カーボンナノチューブの電界放出とその応用 (特集 フラーレンファミリー材料と最近の話題)
- ナノカプセル--異種物質を内包し単層ナノチューブ成長を促すカーボンナノ粒子 (炭素第三の同素体フラーレンの化学) -- (フラーレン類の合成)
- Three Dimensional Monitoring of Stack Plume Dynamics by a Scanning Mie Lidar System as a Plume Watchdog Station
- Experimental Discussion on Eye-Safe 1.54μm Photon Counting Lidar Using Avalanche Photodiode
- Sodium temperature lidar observation at Syowa Station: Summary of three-year observations and unusually high temperature in 2002
- 29pZP-13 単層カーボンナノチューブの磁性分子吸着特性(II)(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 総論/カーボンナノチェーブの機能と応用の展望 (特集 カーボンナノチューブ)
- 触媒金属組み合わせによるナノチューブ成長制御とナノチューブ先端構造(カーボンナノチューブの成長とその応用)
- 23aXF-13 CNT-CNT 相互作用の TEM 中でのその場観察
- 22aXF-10 単層カーボンナノチューブの磁性分子吸着特性
- 21aXF-4 TEM-EELS による二層カーボンナノチューブの電子構造の研究 II
- 三重県で初めてのリフレッシュ理科教室
- 30pZB-5 TEM-EELS による二層カーボンナノチューブの電子構造の研究
- Electronic Structure of Bi_4Ti_3O_ Thin Film by Soft-X-Ray Emission Spectroscopy
- Electrical Conductivity of Low-Temperature-Deposited Al_Ga_N Interlayer
- Unidirectionally Textured CaBi_4Ti_4O_ Ceramics by the Reactive Templated Grain Growth with an Extrusion
- Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells
- Piezoelectric Properties of Bismuth Layer-Structured Ferroelectric Ceramics witha Preferred Orientation Processed by the Reactive Templated Grain Growth Method
- Piezoelectric Stark-like Ladder in GaN/GaInN/GaN Heterostructures
- Structural Properties of Al_In_xN Ternary Alloys on GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- GaN Based Laser Diode with Focused Ion Beam Etched Mirrors
- Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN
- Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells
- Optical Properties of Strained AlGaN and GaInN on GaN
- Study of a simple sensor for stress history measurements of a structural member using a piezoelectric element
- Torque Measurements of Ferromagnetic Mn-Al Multilayered Films
- Magnetic Properties of Mn-Al Multilayered Films
- Microstructures of GaInN/GaInN Superlattices on GaN Substrates
- Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells
- Metal--Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of Embedded Gallium Nitride Nanocolumn for Reduction in Dislocation Density
- Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of Embedded Gallium Nitride Nanocolumn for Reduction in Dislocation Density (Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)