Preparation of (Pb, La)(Zr, Ti)O_3 Ferroelectric Films by RF Sputtering on Large Substrate
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1996-09-30
著者
-
Ishikawa M
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
Nakamura K
Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University
-
Ishikawa Mitsuo
Department Of Chemical Technology Kurashiki University Of Science And Arts
-
Ishikawa M
Joint Research Center For Atom Technology(jrcat) Angstrom Technology Partnership
-
SUU Koukou
Institute for Super Materials, ULVAC Japan, Ltd.
-
OSAWA Akira
Institute for Super Materials, ULVAC Japan, Ltd.
-
TANI Noriaki
Institute for Super Materials, ULVAC Japan, Ltd.
-
ISHIKAWA Michio
Institute for Super Materials, ULVAC Japan, Ltd.
-
NAKAMURA Kyuzo
Institute for Super Materials, ULVAC Japan, Ltd.
-
OZAWA Takanori
VLSI R&D Division, ROHM Co., Ltd.
-
SAMESHIMA Katsumi
VLSI R&D Division, ROHM Co., Ltd.
-
KAMISAWA Akira
VLSI R&D Division, ROHM Co., Ltd.
-
TAKASU Hideshi
VLSI R&D Division, ROHM Co., Ltd.
-
Suu K
Ulvac Inc. Shizuoka Jpn
-
Suu Koukou
Institute For Semiconductor Technologies Ulvac Inc.
-
Osawa Akira
Institute For Super Materials Ulvac Japan Ltd.
-
Ozawa Takanori
Vlsi R&d Division Rohm Co. Ltd.
-
Takasu Hideshi
Vlsi R&d Division Rohm Co. Ltd.
-
Kamisawa Akira
Vlsi R&d Division Rohm Co. Ltd.
-
Ishikawa M
Toshiba Corporation Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories
-
Tani Noriaki
Institute For Super Materials Ulvac Japan Ltd.
-
Sameshima Katsumi
Vlsi R&d Division Rohm Co. Ltd.
-
Suu Koukou
Institute for Semiconductor and Electronics Technologies, ULVAC Inc., Susono, Shizuoka 410-1231, Japan
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