Effect of Native Oxide upon Formation of Amorphous SiO_x Layer at the Interface of Directly Bonded Silicon Wafers
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1995-02-15
著者
-
Kawai Yoshinobu
Welding Research Institute Osaka University
-
Kawai Yoshinobu
Interdiciplinary Gradate School Of Engineering Sciences Kyushu University
-
Kawai Y
Welding Research Institute Osaka University
-
Kondoh H
Ricoh Co. Ltd. Miyagi Jpn
-
RYUTA Jiro
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
-
FURUYA Hisashi
Central Research Inst. Mitsubishi Materials Corporation
-
Ishigami Shun-ichiro
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
-
Kondoh Hideyuki
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
-
Kawai Yukio
Mitsubishi Materials Silicon Corporation
-
石神 俊一郎
三菱マテリアル中央研究所
-
Ishigami Shun-ichiro
Central Research Institute Mitsubishi Materials Corporation
-
河合 良信
Kyushu Univ. Fukuoka
-
Furuya H
Department Of Electrical Engineering Osaka University
-
Ryuta Jiro
Central Research Institute Mitsubishi Materials Corporation
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