Stress-Enhanced Diffusion of Boron at the Interface of a Directly Bonded Silicon Wafer
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1993-10-15
著者
-
Kawai Yoshinobu
Welding Research Institute Osaka University
-
Kawai Yoshinobu
Interdiciplinary Gradate School Of Engineering Sciences Kyushu University
-
Kawai Y
Welding Research Institute Osaka University
-
SHINGYOUJI Takayuki
Mitsubishi Materials Silicon Corporation
-
Shingyouji T
Mitsubishi Materials Corp. Saitama Jpn
-
FURUYA Hisashi
Central Research Inst. Mitsubishi Materials Corporation
-
Ishigami Shun-ichiro
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
-
石神 俊一郎
三菱マテリアル中央研究所
-
Ishigami Shun-ichiro
Central Research Institute Mitsubishi Materials Corporation
-
KAWAI Yukio
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
-
SHINCYOUJI Takayuki
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
-
河合 良信
Kyushu Univ. Fukuoka
-
Furuya H
Department Of Electrical Engineering Osaka University
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